三维寻址模电ram，大幅提升了写入速度【红石电路吧】

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三维寻址模电ram，大幅提升了写入速度

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来自Android客户端1楼2020-08-25 09:35回复

一般的模电ram都是二维寻址，导致其带宽巨大，因此写入的步骤是先读取-转bin-替换掉相应地址的数据-转hex-写入

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来自Android客户端2楼2020-08-25 09:37

这个三维寻址使得带宽总是4bits。所以写入步骤只有 bin转hex-写入就好了

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来自Android客户端3楼2020-08-25 09:38

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所以相比于常规模电ram这个实用得多
既比数电小
又比数电延迟低
还是纯电路无活塞无投掷器无漏斗
完全可以替代目前所有数电高压ram了

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来自Android客户端4楼2020-08-25 09:42

@言出祸随😢 这吧能不能开个四级墙啊，我这一个水贴都t m遇到4个麦片哥了

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来自Android客户端17楼2020-11-20 08:55

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