一般的模电ram都是二维寻址，导致其带宽巨大，因此写入的步骤是 先读取-转bin-替换掉相应地址的数据-转hex-写入

这个三维寻址使得带宽总是4bits。所以写入步骤只有 bin转hex-写入 就好了

所以相比于常规模电ram这个实用得多
既比数电小
又比数电延迟低
还是纯电路无活塞无投掷器无漏斗
完全可以替代目前所有数电高压ram了

红石吧不是人看的

同意楼上

触瞎

大概是要重修红石了，退坑两年看的一脸懵

楼上发言作废。感觉数电RAM想写入快延迟低，体积必然爆炸，想高压，也不可能比模电小，唯一的优势就是在显示屏这类数电元件里面当寄存器了。也许太过片面，太过班门弄斧。感觉数电存储器除了RAM，还可以有别的路线，，例如我的路线。也许本质还是一样的。不知所云，也许是自己水平还没到那个地步。

@言出祸随😢 这吧能不能开个四级墙啊，我这一个水贴都t m遇到4个麦片哥了