首先，随着日前三星方面宣布，Galaxy S25 系列新机将于 1 月 23 日举行的全球新品发布会上正式亮相后，陆续曝光的产品端相关信息也吸引了众多消费者的关注。随着 Galaxy S25 系列机型大量产品外观以及硬件配置的揭晓，日前有消息源还透露了该系列新机在外围配置方面的进一步详情，并称其将会支持 Qi2 无线充电。这不，无线充电联盟（WPC）发布的一份新闻稿似乎印证了这一说法。WPC 在其关于 Qi2 无线充电标准扩展的新闻稿中，引用了三星的一段声明：“Qi2 的卓越增长势头将在 2025 年延续。大家可以期待在 2025 年从三星 Galaxy 设备开始看到支持 Qi2 的安卓设备。”虽然三星并未明确指出哪款 Galaxy 设备将率先支持 Qi2，但考虑到该公司恰好在公布 Galaxy Unpacked 发布会日期后发布了此声明，因此外界普遍猜测三星暗示的正是即将发布的 Galaxy S25 系列。三星目前的旗舰 Galaxy 手机和平板电脑，包括 Galaxy S24 和 Galaxy Z Fold 6 系列，均支持 Qi 无线充电，最高充电功率为 15W。而全新的 Qi2 充电标准不仅提供更快的 25W 充电速度，还引入了磁吸功能，方便用户将兼容的配件吸附到设备上。值得一提的是，Qi2 与苹果的 MagSafe 技术颇为相似，因为它正是基于 MagSafe 开发的。三星将如何在 Galaxy S25 系列中实现 Qi2 功能，是仅提供更快的充电速度，还是同时支持磁吸功能，还有待观察。此前的爆料表明，三星可能只支持前者，这意味着用户需要购买磁吸手机壳才能使用磁吸配件。而硬件配置上，Galaxy S25 系列除了有望全系标配定制的骁龙 8 至尊版主控，以及基于 Android 15 打造的 One UI 7 正式版。其中 Galaxy S25 可能会采用具备最高 120Hz 刷新率、峰值亮度达 2600nit 的 6.2 英寸 Dynamic LPTO AMOLED 2X 屏幕，有望提供 4000mAh 电池、支持 25W 有线快充，并配备由索尼大底主摄 CMOS+ 超广角 + 独立长焦组成的后置三摄模组。其中，虽然目前官方尚未公布Galaxy S25系列将具体采用哪款骁龙芯片，但预计除了骁龙8 Elite或其“For Galaxy”定制版本外，没有其他可能。骁龙8 Elite芯片采用了高通自研的第二代Oryon CPU架构，搭载2个主频高达4.32GHz的超级内核以及6个主频3.53GHz的性能内核。这种创新性的“全大核”设计，使其单核和多核性能相比前代产品实现了高达45%的提升，同时功耗却降低了44%。GPU方面，骁龙8至尊版配备全新Adreno 830，主频高达1.1GHz，带来了40%的性能提升，并且功耗降低同样达到40%。此外，其光线追踪性能也显著提升了35%，为高端游戏和图形处理提供了更强大的支持。可以说，骁龙8至尊版不仅是十年来性能提升幅度最大的芯片，因此也仅有这款芯片能够为三星Galaxy S25系列带来旗舰级别的性能体验。顺便一提的是，在国际版 Galaxy S25 跑分曝光后，国际版 Galaxy S25+ 也现身 GeekBench 跑分库，型号为 SM-S931B，确认搭载高通骁龙 8 至尊版 for Galaxy 芯片，配备 12GB 内存，运行安卓 15 系统。根据Geekbench 6.3.0 版本显示，单核跑分 2986，多核跑分 9355。虽然成绩不俗，但略低于其它搭载骁龙 8 至尊版芯片的旗舰手机，本次测试机型可能是原型机，正式版性能有望进一步优化。三星原计划为大部分 Galaxy S25 和 S25 + 配备自研 Exynos 2500 芯片，不过此前消息称由于 3nm 工艺良率偏低，因此选择全系标配高通骁龙 8 至尊版 for Galaxy 芯片。另外定位最高的 Galaxy S25 Ultra 则或将用上一块具备 2K 分辨率、120Hz 屏幕刷新率、3000nit 峰值亮度的 6.86 英寸 AMOLED 屏，提供最高 16GB+1TB 的存储组合，以及 5000mAh 电池、支持 45W 有线快充。影像方面，配备的可能是由 2 亿像素 HP2 主摄 CMOS+5000 万像素 JN3 超广角 +5000 万像素 IMX854 5X 潜望长焦 +1200 万像素 IMX754 3X 长焦组成的后置四摄模组。
