二、开箱&外观
包装：





主控：
DRAM：
颗粒：
PCB：
外包装延续了Lexar一贯的风格，但本次NM800PRO With Heatsink的外包装风格较为张扬，与之前NM800/NM760的包装风格形成了鲜明的对比。内盒则与NM800/NM760相似，附带一颗M.2螺丝。
NM800PRO With Heatsink版本拆开散热马甲，内置的硬盘就是NM800PRO本体。正面和NM800PRO一致，采用了新一代纳米铜箔复合材料散热贴，背面则没有任何与硬盘相关的贴纸信息，贴纸信息主要贴在散热片背面，方便用户自行拆解，同时保留相关的保修贴纸凭证。
PCB采用了单面双贴布局，厚度控制的较好，适合一些笔记本用户加装，NM800PRO在单面内做到了2TB容量的同时，PCB的布局也较为合理。
主控是来自英韧科技（InnoGrit）的IG5236CAA M1A946-ABA1，采用的是和NM800同款12nm主控，支持1600MT/s频率的颗粒。
DRAM则是来自江波龙旗下的FORESEE，颗粒编号为FLXC2002G-N2，单颗容量2GB的LPDDR4内存颗粒。
NAND是来自江波龙自封，编号为RC72TBJB3AA4-1024，单颗粒1TB，一共两颗。

三、基本信息
惯例，到手上机先看CDI

CDI抓取到的smart的信息较为有限，故使用smartmontools进一步抓取主控的smart信息。如下所示：
由smartmontools抓取到的Supported Power States可知，NM800PRO主控IG5236CAA所标示的PS0最大功耗为3.50W，低于大部分高性能的PCIe 4.0带DRAM缓存盘的PS0数值。
由smartmontools抓取到的信息可知，实际的温度传感器有三个，其中Temperature显示的数值和Temperature Sensor 3的数值一致。笔者推测Temperature Sensor 1对应的是主控的温度，而Temperature Sensor 2对应的是DRAM的温度，Temperature Sensor 3对应的是颗粒的温度。同时将smartmontools抓取到的温度和CDI的温度进行对比可以发现，CDI温度对应的是Temperature/Temperature Sensor 3的温度。

通过Innogrit Flash ID可进一步得知具体的颗粒信息：
可知NM800PRO采用的是Micron最新一代的176L B47R TLC颗粒，单die 512Gb，一共采用了32die，每die接驳1CE，共计32CE通道，正好吃满IG5236 8CH 4CE的主控带宽，故NM800PRO在2TB的容量点展现的是满血性能。
测试完毕时CDI截图：

测试完毕时一共写入24TB左右的数据，健康度下降了1%，参数收紧假设健康度下降2%，粗略估算，当健康度归零时，写入量大概在1200TB左右。

四、测试平台及设置
Central Processing Unit：AMD Ryzen 3700X @ 4.4GHz
Motherboard：Micro Star X570 Gaming Plus（BIOS Verizon：7C37vAE）
System：Windows 10 Professional 21H2 / Centos 8.4.2105
Heatsink：Lexar NM800PRO With Heatsink版本自带
IO Interface：M2_1 slot (From AMD® Processor)
由于测试采用的是AMD平台，相关测试数据可能偏低

五、基本性能测试





在Windows下对NM800PRO 2TB进行了CDM/ASS/HD Tune/PCM8/3D Mark的测试，仅供参考。从纸面的性能来看，NM800PRO 2TB的性能进入了PCIe 4.0 带DRAM盘中的第一梯队，作为旗舰产品这样的表现中规中矩，意料之中。
HD Tune中对NM800PRO 2TB写入了300GB的数据量，仍未写出缓外的情况，可以发现NM800PRO 2TB的SLC Cache较大，在后续的进阶性能测试会进一步验证SLC Cache大小情况。

六、进阶性能验证
为了进一步测试该盘的实际性能情况，在Centos环境下采用FIO对硬盘进行持续和全面的性（大）能（保）测（健）试，同时也是对硬盘本身极限性能进行标定。
(1)全盘读写
首先肯定是来一套全盘读写项目

由全盘写入结果可知，NM800PRO 2TB的SLC Cache大约有593GiB，接近全盘容量的1/3，此段写入速度达到了6300MiB/s；第二段的写入速度接近2600MiB/s，维持的大小在154GiB；第三段则是由于主控在后台进行垃圾回收（GC），速度维持在1300MiB/s左右，且在第三段中写入速度出现间歇性回升，由此可见，NM800PRO固件算法的回收策略较为激进。
而全盘读取较为稳定，保持在6475MiB/s，换算一下大约在6790MB/s左右；由于受到全盘写入数据后的影响，导致全盘读取时的速度低于CDM下测得的最大读取速度。

(2)4KiB全盘跨度随机读写（QD1T1）


(3)4KiB全盘跨度随机读写（QD32T1）


(4)4KiB全盘跨度随机读写（QD32T4）


QD1 T1/QD32 T1/QD32 T4条件下4KiB全盘跨度读取性能一致性良好，随机写入的离散图也做到了相对的集中，但以上三个条件下的随机写入IOPS均表现不算特别亮眼。
QD1 T1下的随机读取IOPS达到了14.5K（59.6MB/s），随机写入的IOPS为8489（34.8MB/s）。随机读取的QOS 99.9%延迟表现较好，但最大延迟、QOS（99.9%/99.99%）的延迟和随机写入的最大延迟、QOS 99.99%延迟均较高。
QD32 T1下的随机读取IOPS达到了362K（1483MB/s），随机写入的IOPS为9073（37.2MB/s）。随机读取下的延迟表现较好，但随机写入的最大延迟、QOS（99%/99.9%/99.99%）的延迟表现一般。
QD32 T4与QD32 T1下的性能展现类似，延迟情况也相似，但其随机读取IOPS从QD32TB1下的362K提高到了QD32TB4下的630K（2582MB/s），随机写入的IOPS与QD32 T1下相差不大，略低于QD32 T1，实际为8980（35.1MB/s），可视作误差忽略不计。

(5)4KiB全盘跨度随机7读3写（QD32T4）

4KiB下全盘跨度随机7读3写的IOPS离散点相对集中，偶有波动。随机读取的IOPS为21.6K（88.4MB/s），随机写入的IOPS为9247（37.9MB/s），总IOPS为22.6K。随机读取的平均延迟、QOS延迟表现尚可，但随机写入的延迟表现一般。

(6)SLC Cache写入测试
在此阶段，分别对硬盘进行20%/40%/60%/80%的预填充，静置15min让主控进行GC(Garbage Collection)操作，然后再对剩余空间进行顺序写入，测试其缓内及缓外顺序写入情况。
①预填充20%
② 预填充40%③ 预填充60%④ 预填充80%
在SLC Cache的测试环节中，预填充分别为20%/60%/80%时，SLC Cache大小依次为520GiB/272GiB/145.2GiB，其实际所给的SLC Cache大小相对较大，日常挪动稍大的文件时完全够用，出缓后的缓外速度平均在1300MiB/s，同时随着写入的进行，由于较为激进的垃圾回收（GC）策略，导致其写入速度会出现间歇性回升，与全盘写入时的状况相类似。
预填充40%后，并静置15min，NM800PRO的SLC Cache并未进行有效地释放，此时写入速度在1300MiB/s左右，同时与预填充为20%/60%/80%测试条件下写入曲线相比，预填充40%时的写入曲线较为平稳，波动较小。

(7)稳态顺序读写
在此阶段，先对Lexar NM800PRO 2TB进行了一次全盘顺序写入后，再进行顺序写入1800s和顺序读取1800s测试项目。
结果如下：

在长时间稳态顺序读写中，读取速度基本趋于一条直线，稳定在6400MiB/s（6800MB/s）左右；而写入速度出现的波动较大，未进入稳定的TLC颗粒直写速度。造成此现象最主要的原因还是垃圾回收（GC）算法调教的较为激进，导致写入速度出现周期性的波动。稳定顺序写入波动较大的现象，在笔者所测过的几款采用IG5236CAA主控的硬盘中均有表现，算是这种主控方案的特性了。

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