在额外的改变方面，我曾经用一个30nH的电感，接驳VR1到Mos 栅极之间，但似乎无大用。
而之前说，有dalao提出可将次级，L3改接地。
我在网上看，有人反而改接L1L2之间...我并不确定有无用，有兴趣的朋友可以试试

这些都是高压版的
低压的(<10V) 首先改用低压大耐流的mos, 例如3205，然后去掉C2, D2
短接R1
将C3改用220pF，C4改用100pF
应该可行了

实物加....搭堋图

画的太....真的呕血了，原来布线图超难画
C1我想不到怎画，实际就是个MKP，焊在低下，接1脚和5脚
30nH电感和10K ohm电阻实际可以不加

元件清单：
C1 电磁炉MKP 630VAC 0.33uF 50Khz
C2: 2000V 220pF CBB20 电容
C3:双信100v 360pF银云母电容
C4:CDM 100v 100pF银云母电容
C5:ERO 250V 4.7nF MKT电容
C6:RIFA PHE450 2000V 2.2nF电容
L1:22uH红色环的电感，在伟良买的
L2,L3:自绕
D1: 安美森 1W 15V稳压管
D2:1.5KE440CA/1.5KE400CA
R1:5W390ohm水泥电阻
VR1:5kohm
7805

申请加精

更新一下，昨天跟大佬聊了，他说的上沿下沿不要紧，开关速度以Ciss的充电放电速度有关，即尖峰电流。
然后我再试了不少管，有Ti的(全新的)有IXYS的(拆机的)
TI的管在低压真好用
IXYS的同一型号还有不同效果可能是拆机的吧所以质量参次，还有只管5V也开不了DS，资料也说Max V th 是5V了，卖家还说正常

放不了影片啊，我继续调的效果