以下全是玩玩而已，网上找了个扬声器等效模型，把它的参数调成动铁阻抗曲线的样子

然后在种阻抗条件下，看看只串电阻跟串并电阻两种情况下加在单元两边的电压，和流经单元的电流(条件是单元在低频区的限流(衰减？)一定。)

这是电压，发现串并电阻情况下，单元两边的电压要远远小于只串电阻的情况

个人的总结就是，对于多分频的组合单元，对低频区的元器件处理采用串并电阻的方式会优于(程度不高)只串电阻的处理方式，仅仅提现在你想限制700或者800Hz后的声压的情况下，比如说一个两分频，如果你想让高频单元多涉及中频，那用串并电阻的方式会比只给低频串电阻的方式要好。个人理解

相位。并入的电阻对相位有影响，而且是积极方面的影响。其实那个阻抗的谐振峰是模拟的声阻，并且在该点处的相位会发生突变，但是突变范围20度以内，我觉得小于45度就可以说是没影响了，况且并了个电阻反而减缓了电相位的突变

总的来说就是1. 并入的电阻确实有加快低频单元在高频区声压的衰减速度，重点是"加快"，2. 其次是并入电阻减缓了单元本身在等效声阻位置会发生相位突变的情况(相对于只串电阻来说)，从这两个有点上来看，并电阻还是有一定的必要性

那么问题来了，对于多分频的单元组合，我看到很多大佬对"叠单元"持有的观点是尽量用相同的单元串联或者并联来做低频或者中频或高频，那到底是并联好呢还是串联好呢？什么时候用串联？什么时候用并联？

得到的结果是高频单元并联(红线高频处电流大)，低频单元用串联(蓝线高频处电流小)，大家看看自己手边的复合单元存货是不是这样的

似乎有人误解了这个实验的目的

又串又并肯定会整体上切掉高低频，你试试两种方式把低频处的衰减调成一致，然后再对比，这个实验的目的不是为了只衰减高频(串并电阻肯定做不到)，而是只通过纯阻方式尽可能切更多的高频，用电容切高频肯定更明显，但是并电容会带来电相位滞后的问题，并电阻反而会减缓声阻谐振处的相位突变