1947年 发明第一只点接触式晶体管（1947年12月23日）


世界上第一个晶体管---PNP点接触式 Ge晶体管

晶体管的三位发明人：巴丁、肖克莱、布拉顿

晶体管诞生25周年时发行

1948年 发明结型晶体管（Junction Transistor）
[美]BELL实验室W.Shockley 肖克莱，于1948年1月提出结型晶体管模型和场效应理论，并研制出第一只结型晶体管，因此与J.Bardeen巴丁、 W.H.Brattain布拉顿一起荣获1956年诺贝尔物理学奖
50年代 晶体管得到大发展（材料由Ge→Si）

晶体管之父：威廉.肖克利(1910-1989)

1956年1月，黛娜木屋【肖克利和他的8位弟子（日后的“八叛逆”）
“他发明了晶体管，为硅谷带来了硅，然而，很多人记住他仅仅是因为他有害的种族观点。” ——肖克利的弟子、“八叛逆”之一、英特尔和仙童半导体的共同创始人戈登·摩尔，1999年，《时代》杂志

“很显然，肖克利希望发明一种具有里程碑式的产品，并将它投入商品化生产中。在这个努力失败后，他仍想把每个人的时间和精力花在新东西的创造上，而不想再改善晶体管技术”。
——琼· 赫尔尼
1957年，在罗伯特.诺依斯的带领下，“八人帮”离开了肖克利半导体实验室，另行创建了仙童半导体公司。

1952年 英国科学家杜默(J.W.Dummer)首次提出了集成电路 (Integrated Circuit——IC)思想。
——“随着晶体管的出现和对半导体的全面研究，现在似乎可以想象，未来电子设备是一种没有连接线的固体组件．”
1958年 发明第一块简单IC 美国TI公司 Jack S.Kilby 基尔比

2000年度诺贝尔物理学奖得主(1923-2005)

青年时的基尔比

集成电路草图

第一块集成电路
1958年9月12日，TI公司的Jack S.Kilby在德州仪器半导体实验室展示了一个构造较为简单的设备。第一次将所有有源和无源元器件都集合到只有一个曲别针大小（不足1/2英寸见方）的半导体材料上。这块集成电路共集成了十二个元件（两个晶体管、两个电容和八个电阻）。

1959年 美国仙童公司Fairchilds的R.Noicy诺依斯开发出用于IC 的平面工艺技术，从而推动了IC制造业大发展。

1959年仙童制造的IC

1961年仙童制造的IC

年轻时代的诺伊斯(1927-1990)

60年代 TTL、ECL出现并得到广泛应用
1966年 MOS LSI发明（集成度高，功耗低）

安迪.格鲁夫，罗伯特.诺伊斯，戈登.摩尔（左至右）
1968年8月创立INTEL

70年代 MOS LSI得到大发展 （出现集成化微处理器，存储器）
80年代 VLSI出现，使IC进入了崭新的阶段。（其标志为CD2＜μm，集成度＞10^5个元件/片）
90年代 ASIC、ULSI和巨大规模集成GSI等代表更高技术 水平的IC不断涌现，并成为IC应用的主流产品。
21世纪 SOC、纳米器件与电路等领域的研究已展开
展 望 可望突破一些先前认为的IC发展极限，对集成电路 IC 的涵义也将有新的诠释。

Ⅱ中国的半导体

“真人”黄昆（1919-2005）
黄—里斯理论 黄昆方程 黄—漫散射 黄朱模型
“中国的黄昆是最聪明的。”量子力学创始人之一的玻恩在自传中这样评价自己的弟子。黄昆与他合著的《晶格动力学》被誉为这一领域的圣经。在给爱因斯坦的信中，玻恩写道：“书稿内容已完全超越了我的理论。我能懂得年轻的黄昆以我们两人名义所写的东西，就很高兴了。”

王守武院士——中国半导体科学奠基人之一 （中科院半导体所）[1919- ]

王守觉院士（中科院半导体所）[1925- ]

林兰英院士——中国半导体材料之母（中科院半导体所）[1918-2003]

谢希德院士——中国半导体物理和表面物理学科开创者和奠基人 （复旦大学）[1921-2000]