型号：CED12N10L-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：100V - 最大连续电流：15A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.41V - 封装类型：TO251 应用简介： CED12N10L-VB是一款高电压、高电流N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高性能功率开关的应用。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源管理：这种高电压、高电流MOSFET可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用，以提

型号：2SK4212A-ZK-E1-AY-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：60A - 静态导通电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V, 11mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压(Vth)：1.6V - 封装类型：TO252 应用简介： 2SK4212A-ZK-E1-AY-VB是一种N沟道MOSFET晶体管，具有高度可控性和低导通电阻，适用于各种电子设备和应用领域。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源模块：2SK4212A-ZK-E1-AY-VB可用于电源模块中，以提供高效的电源开关，有助于提高能源利用率，适用于电池管理和开关电源设计

型号：RSR025P03TL-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-5.6A - 静态导通电阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1V - 封装：SOT23 **详细参数说明：** RSR025P03TL-VB是一款P沟道MOSFET，最大耐压为-30V，最大电流为-5.6A。其静态导通电阻在不同电压下表现如下：在10V下为47mΩ，在4.5V下为56mΩ，驱动电压范围为±20V。阈值电压为-1V。该器件采用SOT23封装，适合在有限空间内使用。 **应用简介：** RSR025P03TL-VB适用于多种领域的模块，包括但

型号：FDN327N-NL-VB 品牌：VBsemi 参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23 封装：SOT23 详细参数说明： - 型号：FDN327N-NL-VB - 丝印：VB1240 - 品牌：VBsemi - 沟道类型：N沟道 - 最大耐压：20V - 最大电流：6A - 静态导通电阻：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V - 门源极电压：8Vgs (±V) - 阈值电压：0.45~1V 应用简介： FDN327N-NL-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子模块和应用，特别在需要中等电流开关和低导通电阻的情况下。 应用领域： 这种产品通常用在以

型号：FDS9933-NL-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 类型：2个P沟道 - 额定电压：-30V - 最大电流：-7A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：-1.5V - 封装类型：SOP8 应用简介： FDS9933-NL-VB是一款包含2个P沟道功率MOSFET的器件，适用于多种领域模块，具有以下应用潜力： 1. 电源开关：由于其P沟道MOSFET的特性，可用于电源开关模块，提供高效的电源控制。 2. 电池保护：这个器件的低阈值电压使其成为电池保护模块的理想选择，以

型号：AO4413-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 MOSFET - 额定电压：-30V - 最大持续电流：-11A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs)：最大±20V - 阈值电压 (Vth)：-1.5V 封装：SOP8 详细参数说明： AO4413-VB是一款P沟道MOSFET，专为低电压、高电流应用而设计。它的额定电压为-30V，可以持续承受高达-11A的电流。该MOSFET具有卓越的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为11mΩ，而在4.5V电压下为15mΩ。这低的电阻有助于减小功耗和热量，使其适用于

型号：AP6679GH-HF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大电流：-60A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V - 门源极电压（±Vgs）：20V - 门源极阈值电压（Vth）：-1.71V - 封装类型：TO252 应用简介： AP6679GH-HF-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有负向电压承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。 应用领域： 1. 电源模块：AP6679GH-HF-VB可用于电源开关模块

型号：IRFR420TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数 - N沟道 - 最大耐压：650V - 最大电流：4A - 静态导通电阻：2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：3.5V - 封装：TO252 **详细参数说明：** IRFR420TRPBF-VB是一款N沟道MOSFET，最大耐压为650V，最大电流为4A。其静态导通电阻在不同电压下表现如下：在10V下为2200mΩ，在4.5V下为2750mΩ，驱动电压范围为±20V。阈值电压为3.5V。该器件采用TO252封装，有着适中的尺寸和散热性能。 **应用简介：** IRFR420TRPBF-VB适用于多种领域的模块，

型号：FDS4935A-NL-VB 品牌：VBsemi 参数：2个P沟道,-30V,-8.5A,RDS(ON),21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,12Vgs(±V)；-1.8Vth(V)；SOP8 封装：SOP8 详细参数说明： - 型号：FDS4935A-NL-VB - 丝印：VBA4317 - 品牌：VBsemi - 沟道类型：2个P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-8.5A - 静态导通电阻：21mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V - 门源极电压：12Vgs (±V) - 阈值电压：-1.8V 应用简介： FDS4935A-NL-VB是一款包含两个P沟道MOSFET的器件，适用于多种电子模块和应用，特别是需要高电流开关和低导通电阻的情况。 应用领域：

型号：SUD40N06-25L-VB 品牌：VBsemi 参数：N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252 封装：TO252 详细参数说明： - 型号：SUD40N06-25L-VB - 丝印：VBE1638 - 品牌：VBsemi - 沟道类型：N沟道 - 最大耐压：60V - 最大电流：45A - 静态导通电阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V - 门源极电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：1.8V 应用简介： SUD40N06-25L-VB是一款N沟道MOSFET，适用于各种电子模块和应用，特别是在需要高电流开关和低导通电阻的情况下。 应用领域： 这种产品通常用在

型号: CEA6426-VB 品牌: VBsemi **详细参数说明：** - 通道类型: N沟道 - 额定电压: 60V - 最大持续电流: 5A - 导通电阻 (RDS(ON)): 76mΩ @ 10V, 88mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压 (Vth): 1V 至 3V - 封装类型: SOT89-3 **应用简介：** CEA6426-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，具有较高的额定电压和适度的导通电阻，适用于多种应用领域。以下是该产品在不同领域模块上的应用： 1. **电源管理模块**： CEA6426-VB的较高额定电压和能够承受适度电流的特性使其成为电源管理模块的良好选择。它可用

型号：AOD405-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 额定电压：-30V - 最大漏电流：-26A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：-1.3V - 封装：TO252 应用简介： AOD405-VB是一种P沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用，具有高电流承受能力和低导通电阻，特别适合用于功率开关和电路控制。以下是一些可能的应用领域和模块： 1. **电源开关**：这种P沟道MOSFET适用于电源开关模块，如电源开关电路、稳压器和电源适配器。它能够

型号：IRFU120NPBF-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：100V - 额定电流：10A - 开通电阻（RDS(ON)）：220mΩ @ 10V, 264mΩ @ 4.5V - 门极-源极阈值电压范围（Vth）：2V - 门极驱动电压范围：±20V - 封装类型：TO251 应用简介： IRFU120NPBF-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种高电压和高电流电子应用。以下是一些可能的应用领域和模块，其中这种MOSFET可能被广泛使用： 1. **电源模块**：这款MOSFET可用于高电压电源模块，如开关电源、电源逆变器和稳压器。它能

型号: NDS9945-NL-VB 品牌: VBsemi 参数: - 2个N沟道 - 额定电压：60V - 最大电流：6A - 开通电阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：1.5V (Vth) - 封装：SOP8 应用简介: NDS9945-NL-VB是一款双N沟道MOSFET器件，适用于多种电子应用，它的主要应用领域包括但不限于以下模块： 1. 电源开关模块: 由于具有双N沟道设计，适用于电源开关、开关稳压器、DC-DC变换器等，以提供高效的电源管理。 2. 电机控制模块: 在电机驱动应用中，可用于电机控制和驱动，如电动汽车电

型号：2SK3385-Z-E1-AZ-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 类型：N沟道 - 额定电压（Vds）：60V - 最大电流（Id）：45A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.8V - 封装：TO252 **产品简介：** 2SK3385-Z-E1-AZ-VB是VBsemi生产的N沟道场效应晶体管，适用于多种高功率和高电流应用。它具有低静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）和高额定电流，使其非常适合需要高性能开关的电路。 **主要特点：** - 低导通电阻：具有低的静态漏极-源极电阻

型号: CES2321-VB 品牌: VBsemi **详细参数说明：** - 通道类型: P沟道 - 额定电压: -20V - 最大持续电流: -4A - 导通电阻 (RDS(ON)): 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs - 阈值电压 (Vth): -0.81V - 封装类型: SOT23 **应用简介：** CES2321-VB是一款P沟道MOSFET晶体管，具有负电压承受能力，适用于多种应用领域。以下是该产品在不同领域模块上的应用： 1. **电源管理模块**： CES2321-VB的负电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择，特别适用于负电压开关和反向电源保

型号：2SJ562-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 额定电压：-30V - 最大漏电流：-5.8A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）范围：-0.6V 至 -2V - 封装：SOT89-3 应用简介： 2SJ562-VB是一种P沟道场效应晶体管，主要用于电路中的功率控制和开关应用。以下是一些可能的应用领域和模块： 1. **电源模块**：这种P沟道MOSFET适用于电源模块，可以用于稳定和控制电流。它可以在不同的电源设计中用于电池管理、DC-DC转换器和逆变器等。

型号：FDS9936A-NL-VB 品牌：VBsemi 参数： - 2个N沟道 - 最大耐压：30V - 最大漏电流：6.8A / 6.0A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：22mΩ @ 10V, 26mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.73V - 封装：SOP8 应用简介： FDS9936A-NL-VB包含2个N沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用，特别是需要控制两个N沟道的应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于多种电子系统。 领域模块应用： 1. DC-DC转换器模块：FDS9936A-NL-VB可用于DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。 2.

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 AO6402A-VB 的详细参数和应用简介： **型号：** AO6402A-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：6A - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V - 门源电压阈值 (Vth)：1.2V - 标准门源电压 (±V)：20V - 封装：SOT23-6 **产品应用简介：** AO6402A-VB 是一款 N 沟道 MOSFET，适用于低至中功率的电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款 MOSFET 具有适度的额定电压承受能力和低的漏

型号：FDY3000NZ-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - **双N沟道：** 该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。 - **工作电压（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。 - **持续电流（ID）：** 0.2A，表示MOSFET可以承受的最大电流。 - **导通电阻（RDS(ON))：** 300mΩ @ 4.5V，350mΩ @ 2.5V，20Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。 - **阈值电压（Vth)：** 0.3V，表示MOSFET进入导

型号：AP9579GM-HF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - P沟道 - 额定电压：-60V - 最大电流：-9A - RDS(ON)：24mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V - 门源电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：-1.92V - 封装：SOP8 应用简介： AP9579GM-HF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负向电压应用。它具有低通态电阻和适中的电流承受能力，适合多种负向电压电子设备。 应用领域： 1. **电源逆变器**：AP9579GM-HF-VB可用于电源逆变器模块，将负向电压转换为正向电压，适用于太阳能逆变器和电力系统。 2. **电源

型号：APM4953KC-TRL-VB 品牌：VBsemi 参数： - 2个P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-7A - 开通态电阻：35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.5V 封装：SOP8 该型号的APM4953KC-TRL-VB是一种具有两个P沟道MOSFET的集成器件，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介： **详细参数说明：** - 最大耐压：-30V，表示它可以承受不超过30伏的电压。 - 最大电流：-7A，该MOSFET可以承受最高7安培的电流。 - 开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的

型号：STN4NF03L-VB 品牌：VBsemi 参数： - N沟道 - 最大耐压：30V - 最大漏电流：7A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：25mΩ @ 10V, 38mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.5V - 封装：SOT223 应用简介： STN4NF03L-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于中功率电子系统。 领域模块应用： 1. DC-DC转换器模块：STN4NF03L-VB可用于DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。 2. 电机控制模块：在中功率电机控制和驱动电路

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 AP4565GM-VB 的详细参数和应用简介： **型号：** AP4565GM-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 沟道类型：N+P沟道 - 额定电压：±30V - 最大电流：9A (正向电流) / -6A (反向电流) - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：15mΩ @ 10V (正向电流), 42mΩ @ 10V (反向电流), 19mΩ @ 4.5V (正向电流), 50mΩ @ 4.5V (反向电流) - 门源电压阈值 (Vth)：±1.65V - 标准门源电压 (±V)：20V - 封装：SOP8 **产品应用简介：** AP4565GM-VB 是一款同时具有 N 和 P 沟道的 MOSFET