型号：FDN327N-NL-VB
品牌：VBsemi
参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23
封装：SOT23
详细参数说明：
- 型号：FDN327N-NL-VB
- 丝印：VB1240
- 品牌：VBsemi
- 沟道类型：N沟道
- 最大耐压：20V
- 最大电流：6A
- 静态导通电阻：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V
- 门源极电压：8Vgs (±V)
- 阈值电压：0.45~1V

应用简介：
FDN327N-NL-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子模块和应用，特别在需要中等电流开关和低导通电阻的情况下。
应用领域：
这种产品通常用在以下领域的模块上：
1. 电源开关模块：用于电源开关和电流控制，如电源适配器和便携式电子设备。
2. 信号开关模块：用于模拟和数字信号开关和切换，如音频信号切换器和数据选择器。
3. 传感器接口模块：用于连接和管理传感器信号，如温度传感器和光传感器。
4. 低功耗应用模块：适用于需要低静态功耗的电子设备，如便携式医疗设备和传感器节点。
5. 电池管理模块：在低功耗设备中，可用于电池充电和放电控制，如便携式电子设备。
这款器件的中等电流开关特性和低导通电阻使其适用于各种低至中等功耗应用，有助于提高电子系统的性能和效率。