CY95F636KPMC-G-UNE2 是一款通用的单芯片微控制器。除了紧凑的指令集外，该微控制器还包含多种外围功能。 CY95F636KPMC-G-UNE2 规格 核心处理器：F²MC-8FX 内核规格：8 位 速度：16.25MHz 连接能力：I2C，LINbus，SIO，UART/USART 外设：LVD，LVR，POR，PWM，WDT I/O 数：28 程序存储容量：36KB（36K x 8） 程序存储器类型：闪存 EEPROM 容量：- RAM 大小：1K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.4V ~ 5.5V 数据转换器：A/D 8x8/10b 振荡器类型：外部 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型

DRV8718SQRVJRQ1（VQFN-56）是适用于驱动多个电机或负载的高度集成多通道栅极驱动器。该器件集成了 4 个 (DRV8714-Q1) 或 8 个 (DRV8718-Q1) 半桥栅极驱动器、驱动器电源、电流分流放大器和保护监测器，可降低系统的总体复杂性和成本并减小尺寸。智能栅极驱动架构可管理死区时间，从而防止击穿并控制压摆率，降低电磁干扰 (EMI) 并优化传播延迟以实现出色性能。明佳达 DRV8718SQRVJRQ1多通道栅极驱动器和VN7008AJTR高侧驱动器 VN7008AJTR（PowerSSO-16）是一款单通道高边

明佳达，星际金华供求以太网交换机 PEX88024B0，PEX88T32，PEX9797-B080BCG PEX88024B0 26 通道 26 端口 PCI Express Gen 4.0 交换机 产品描述 PEX88024B0 PCIe 交换机配备嵌入式 ARM Cortex-R4 CPU、内部 RAM、定时器块、看门狗定时器和向量中断控制器。嵌入式 CPU 可用于配置所需的交换机功能、创建合成层次结构、I/O 管理、热添加/删除和中断处理。 主要优势 端口配置 24 至 96 个独立端口 每个端口速度（Gen1/2/3/4）独立于其他端口 链路宽度选择 - x1、x2、x4、x8 或 x16 指定任何端

明佳达，星际金华供应 LT1793CS8运算放大器，SIM7000C无线模块，LTC4231IUD-2热插拔控制器 LT1793CS8 低噪声微微安培偏置电流 JFET 输入运算放大器 产品描述 LT1793CS8 在 JFET 运算放大器的噪声性能方面达到了新的卓越标准。LT1793CS8 首次同时提供低电压噪声（6nV/√Hz）和极低电流噪声（0.8fA/√Hz），为高阻抗传感器应用提供了最低的总噪声。与大多数 JFET 运算放大器不同的是，该器件在整个共模范围内保持极低的输入偏置电流（3pA typ），从而实现了极高的输入电

LSM6DS3HTR是一款系统级封装产品，具有一个三维数字加速度计和一个三维数字陀螺仪，在高性能模式下工作电流为 1.1 mA（ODR 高达 1.6 kHz），可实现始终在线的低功耗功能，为消费者带来最佳的运动体验。该器件支持主要的操作系统要求，提供真实、虚拟和批处理传感器，具有 4 kbyte FIFO + 灵活的 4 kbyte（FIFO 或可编程）动态数据批处理功能。 型号：AS213-92LF CH7517A LSM6DS3HTR 说明：明佳达 CH7517A 是一款低成本、低功耗的半导体器件，可将 DisplayPort 信号转换为

F6202AVGI（相位阵列波束形成器）：Ka-波段，8通道单波束 Rx 有源波束成形IC，FCCSP-165 频率：17.7GHz ~ 21.2GHz 应用：通用 数据接口：SPI 电压 - 供电：2.1V ~ 2.5V 工作温度：-40°C ~ 85°C 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：165-VFBGA 供应商器件封装：165-FCBGA（7.6x7.6） 星际金华，明佳达【供应】【回收】F6202AVGI相位阵列波束形成器，R8A779MBJXXXBA汽车片上系统 (SoC)。 R8A779MBJXXXBA：R-CarH3Ne-1.7G 高端汽车片上系统 (SoC)，BGA-1022 CPU 内核： - Arm® Cortex®-A57 四核 - Arm® Cortex®-A5

PIC32MK0512MCJ064-I/PT器件将 32 位、120Mhz 性能与高达 1MB 的 ECC 保护闪存以及丰富的外设集相结合，适用于电机控制、工业控制和工业物联网 （IIoT） 等应用以及多通道 CAN 和 CAN-FD 应用。 该器件具有 7 个 12 位 ADC，每个 ADC 的工作速率高达 3.75MSPS，可以组合和排序以提供高达 25.4MSPS 的采样率！此外，还有多个 OpAmps.还包括比较器和 DAC。 明佳达PIC32MK0512MCJ064-I/PT微控制器 ，MC33771BSP1AE一款电池控制器 MC33771BSP1AE是面向HEV、EV、ESS和UPS系统等汽车和工业控制应用

描述： SI5350A-B13710-GTR是一款高度灵活、用户可定义的定制时钟发生器，非常适合在成本敏感型应用中替代晶体和晶体振荡器。SI5350A-B13710-GTR基于 PLL + 高分辨率分数分频器 MultiSynthTM 架构，其每个输出可产生高达 200 MHz 的任意频率，误差为 0 ppm。扩频可在任何输出上选择（开/关）。使用 ClockBuilder Pro 可以创建定制 Si5350A 配置。 供应时钟和计时器IC SI5350A-B13710-GTR 时钟发生器及支持产品，全新原装 型号：SI5350A-B13710-GTR 批号：新 封装：MSOP-10 特性： 最多

明佳达，星际金华供应 差分驱动器SN75C1168NSR，时钟网络同步器ZL30792LF，GMSL 串行器MAX96707GTG SN75C1168NSR 双通道差分驱动器和接收器 产品描述 SN75C1168NSR 是双驱动器和接收器，是专为平衡传输线设计的集成电路。SN75C1168NSR 驱动器具有单独的高电平有效使能。 特点 BiCMOS 工艺技术 电源电流要求低： 最大 9mA 低脉冲偏移 接收器输入阻抗：典型值为 17kΩ 接收器输入灵敏度：±200mV 接收器共模输入电压范围：-7V 至 7 V 使用 5V 单电源供电 无闪烁上电和掉电保护

明佳达，星际金华供求 存储器：MT29F4G01ABAFDWB-IT:F，MT29F2G01ABBGDWB-IT:G 4Gbit SPI 存储器芯片 MT29F4G01ABAFDWB-IT:F 集成电路芯片 8-UPDFN 产品描述 MT29F4G01ABAFDWB-IT:F 是 4Gbit 串行 NAND 闪存芯片，封装为 8-UPDFN (8x6)。 特性 密度： 4Gb FBGA 代码： NQ464 工作温度：-40°C 至 85°C (TA) MT29F2G01ABBGDWB-IT:G 2Gbit FLASH NAND 存储器 IC 8-UPDFN 产品描述 MT29F2G01ABBGDWB-IT:G 这种硬件接口创建了一个低引脚数量器件，其标准引脚布局从一种密度到另一种密度都保持不变，使将来升级到更高密度时

明佳达，星际金华供求 串行闪存芯片MT25QU128ABB8ESF-0AUT，MT25QU256ABA8E55-0SIT 串行 NOR 闪存 MT25QU128ABB8ESF-0AUT 产品描述 MT25QU128ABB8ESF-0AUT 是串行 NOR 闪存芯片，具有高速 SPI 兼容总线接口、就地执行 (XIP) 功能、高级写保护机制和扩展地址访问功能。 功能特点 数据保存期：20 年（TYP） 兼容 SPI 的串行总线接口 针对选定部件号的额外复位引脚 扩展器件 ID：两个额外字节标识器件出厂选项 MT25QU256ABA8E55-0SIT 串行 NOR 闪存 IC 23-XFBGA 产品描述 MT25QU256ABA8E55-0SIT 具有高速

明佳达，星际金华供求 NOR 存储器：MT25QU512ABB8E12-0SIT，MT25QL02GCBB8E12-0SIT NOR SPI FLASH 存储器芯片 MT25QU512ABB8E12-0SIT ICs 芯片 128MX4 TBGA 产品描述 MT25QU512ABB8E12-0SIT 是一款高性能多输入/输出串行闪存器件。它具有高速 SPI 兼容总线接口、就地执行 (XIP) 功能、高级写保护机制和扩展地址访问功能。创新的高性能双路和四路输入/输出指令可将读取和编程操作的传输带宽提高两倍或四倍。 功能特点 兼容 SPI 的串行总线接口 单倍和双倍传输速率（STR/DTR） 时钟频率 166

明佳达，星际金华供求 NOR 存储器：MT28FW02GBBA1HPC-0AAT，MT35XU02GCBA1G12-0AAT 并行 NOR 闪存汽车存储器 MT28FW02GBBA1HPC-0AAT SLC 128MX16 LBGA DDP 产品描述 MT28FW02GBBA1HPC-0AAT 器件是一款异步、统一块、并行 NOR 闪存器件。它是一个 2Gb 堆叠器件，包含两个 1Gb 芯片。 特性 2Gb 堆叠器件（两个 1Gb 芯片） 单级单元 (SLC) 工艺技术 电源电压 VCC = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取） VCCQ = 1.65-VCC（I/O 缓冲器 异步随机/页面读取 页面大小：16 个字 页面访问： 20ns （VCC = VCCQ = 2.7-3.6V） 随机

MVF61NN152CMK50：双核32位 ARM® Cortex®-A5 + Cortex®-M4 微处理器 IC，LFBGA-364 核心：ARM Cortex A5, ARM Cortex M4 内核数量：2 Core 数据总线宽度：32bit 最大时钟频率：167MHz, 500MHz 封装 / 箱体：BGA-364 L1缓存指令存储器：16kB,32kB L1缓存数据存储器：16kB,32kB 工作电源电压：3.3V 系列：VF6xx 安装风格：SMD/SMT 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 星际金华，明佳达供应，回收MVF61NN152CMK50（双核32位微处理器），LS2084AXE711B（Layerscape处理器）。 LS2084AXE711B：QorIQ®Layerscape 八核通信处理器，

明佳达，星际金华供求 微控制器：LPC5516JEV98E，LPC5504JBD64E，LPC54005JET100E LPC5516JEV98E 32 位单核微控制器 MCU 98-VFBGA ARM Cortex-M33 产品描述 LPC5516JEV98E 包括用于闪存即时加密/解密的 PRINCE 模块、代码看门狗、高速/全速 USB 主机和设备接口（全速无晶振运行）、CAN FD 和五个通用定时器。 功能特点 用于检测代码流完整性的代码看门狗。 带有片上高速 PHY 的 USB 2.0 高速主机/设备控制器 多达 64 个通用输入/输出 (GPIO) 引脚。 I/O 引脚配置支持多达 16 种功能选项。 多

明佳达，星际金华供求 嵌入式微控制器：LPC11E68JBD48K，LPC5534JBD64E，LPC5514JBD64E LPC11E68JBD48K 32 位单核嵌入式微控制器 IC 48-LQFP 封装 产品描述 LPC11E68JBD48K 是一款易于使用的高能效内核，采用两级流水线和快速单周期 I/O 访问。 特性 AHB 多层矩阵 系统定时器 支持串行线路调试 (SWD) 和 JTAG 边界扫描模式。 支持微跟踪缓冲器 (MTB)。 LPC5534JBD64E 单核 150MHz 128KB FLASH 64-TQFP 微控制器 MCU IC 产品描述 LPC5534JBD64E 器件包括高达 256 KB 的片上闪存、高达 128 KB 的片上 SRAM、

IAUCN04S7N024D：汽车 MOSFET 晶体管 - 40V，OptiMOS™7 功率晶体管，PG-TDSON-8 型号：IAUCN04S7N024D 封装：PG-TDSON-8 类型：汽车 MOSFET 晶体管 IAUCN04S7N024D - 产品规格： 40V OptiMOS™ 7 功率MOSFET N 沟道 MOSFET 增强模式 - 正常电平 超出 AEC-Q101 的扩展鉴定 增强型电气测试 稳健的设计 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 工作温度） 100% 通过雪崩测试 星际金华，明佳达供应，回收IAUCN04S7N024D（汽车 MOSFET 晶体管），R5F523E5NGFN（RX23E-B系列MCU）。 R5F523E5NGFN：RX23E-B系列 - 32位微控制器M

明佳达，星际金华供求 存储器:S27KL0643GABHI023，S27KS0642GABHV023，S80KS2562GABHM020 S27KL0643GABHI023 200 MHz 35 ns 24-FBGA 表面贴装存储器 IC 产品描述 S27KL0643GABHI023 要求主机限制读或写突发传输长度，以便在需要时进行内部逻辑刷新操作。 特性 可选的 DDR 中心对齐读取选通 在读取事务期间，RWDS 由第二个时钟偏移，与 CK 相移 相移时钟用于在读数据眼内移动 RWDS 转换边沿 S27KS0642GABHV023 伪 SRAM 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 产品说明 S27KS0642GABHV023 的 HYPERBUS™ 是一种低信

明佳达，星际金华供求 S27KL0642GABHI023，S70KS1282GABHB030，S80KS2562GABHA020存储器 S27KL0642GABHI023 64Mbit HyperBus 存储器 IC 产品描述 S27KL0642GABHI023 的主机无需管理任何刷新操作，在主机看来，DRAM 阵列就像使用静态单元的存储器，无需刷新即可保留数据。 特性 200 MHz 最大时钟频率 DDR - 在时钟的两个边沿上传输数据 数据吞吐量高达 400 MBps（3,200 Mbps） S70KS1282GABHB030 128Mbit HyperBus 200MHz 35ns 存储器 IC 产品说明 S70KS1282GABHB030 接口具有 8 位（1 字节）宽 DDR 数据总线，仅使

有好人能供应一下《硬件设计指南从器件认知到手机基带硬件设计》书的第113和114页给我吗，邮箱：417570364@qq.com

明佳达，星际金华供求 IGBT 晶体管：IKW50N65ET7XKSA1，IKW30N65ET7XKSA1，IKW20N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 单通道 IGBT 晶体管 TO-247-3 产品描述 IKW50N65ET7XKSA1 是一款 IGBT 沟道场截止型 650 V 50 A 273 W 晶体管，通孔型号为 PG-TO247-3。 特点 极低的 VCEsat 关断损耗低 短尾流 IKW30N65ET7XKSA1 IGBT 沟道场截止晶体管 产品描述 IKW30N65ET7XKSA1 是一款高效的短路耐用型分立式 IGBT，其饱和电压比其他产品至少低 10%。 特点 降低电磁干扰 防潮设计 非常软、快速恢复的反并联二极管 IGBT 晶体管

明佳达，星际金华供求单核微控制器PIC32MZ0512EFE144T-I/JWX，PIC32MZ0512EFE100-I/PT 144-TFBGA PIC32MZ0512EFE144T-I/JWX 32 位单核微控制器芯片 200MHz 产品描述 PIC32MZ0512EFE144T-I/JWX 是 32 位 MCU（高达 2 MB 实时更新闪存和 512 KB SRAM），具有 FPU、音频和图形接口、HS USB、以太网和高级模拟功能。 功能特点 50 MHz 外部总线接口 (EBI) 音频数据通信： I2S、LJ 和 RJ 5V 容差引脚，高达 32 mA 源/汇流排 音频控制接口： SPI 和 I2C 50 MHz 串行四接口 (SQI) PIC32MZ0512EFE100-I/PT 200MHz 微控制器 IC TQFP10

明佳达，星际金华供求 PIC32MZ2048EFM144T-E/PL，PIC32MZ2048EFM144T-I/PH微控制器 微控制器 MCU IC PIC32MZ2048EFM144T-E/PL 32 位 144-LQFP 表面贴装 产品描述 PIC32MZ2048EFM144T-E/PL 包括 MPLAB® 集成开发环境 (IDE) 和 MPLAB Harmony 集成软件框架，可方便设计人员提高应用的色彩分辨率和显示尺寸。 特性 50 MHz 外部总线接口 (EBI) 50 MHz 串行四接口 (SQI) 音频和图形接口 PIC32MZ2048EFM144T-I/PH 200MHz MIPS32 M 级 PIC 32MZ 微控制器 IC 产品说明 PIC32MZ2048EFM144T-I/PH 集性能、功效和设计灵活性于一身。 特

明佳达，星际金华 供求 NOR 存储器:S25HS01GTFAMHI010,S26HS01GTGABHI030 S25HS01GTFAMHI010 集成电路芯片 16-SOIC FLASH NOR 存储器芯片 1Gbit 产品描述 S25HS01GTFAMHI010 是 SEMPER™ 闪存 NOR 存储器 IC，1Gbit SPI - 四路 I/O，封装为 16-SOIC。 功能特点 支持 1S-2S-2S 协议 SDR 选件运行速度高达 41.5-Mbps（166MHz 时钟速度） 内置纠错码 (ECC)，可纠正内存阵列数据的单位错误和检测双位错误 (SECDED) 存储器 IC S26HS01GTGABHI030 FLASH NOR 存储器芯片 24-FBG 集成电路芯片 产品说明 S26HS01GTGABHI030 是 200 MHzFL

LAN9382T-I/6XX：7端口AVB/TSN 100BASE-T1 千兆以太网交换机，TQFP-128 产品详情：以太网 开关 IEEE 802.3，10/100 Base-T/TX PHY RGMII，SGMII 接口 128-TQFP-EP（14x14） LAN9382T-I/6XX 产品规格： 协议：以太网 功能：开关 接口：RGMII，SGMII 标准：IEEE 802.3，10/100Base-T/TX PHY 电压 - 供电：3.3V 工作温度：-40°C ~ 85°C 封装/外壳：128-TQFP（14x14） 星际金华，明佳达【供应】【收购】LAN9382T-I/6XX以太网交换机，SKY16603-632LF双PIN二极管限幅器。 SKY16603-632LF：0.6GHz至 6.0GHz、高线性度双 PIN 二极管

明佳达，星际金华供求 SiC MOSFET晶体管MSC015SMA070S，MSC015SMA070B，MSC015SMA070B4 MSC015SMA070S 700V 碳化硅 N 沟道功率 MOSFET 产品描述 MSC015SMA070S 器件是一款 700 V、15 mΩ SiC MOSFET，采用 TO-268 (D3PAK) 封装。 特点 低电容和低栅极电荷 低内部栅极电阻 (ESR) 带来快速开关速度 在高结温（TJ（最大值）= 175 °C）条件下稳定工作 快速可靠的体二极管 卓越的雪崩坚固性 符合 RoHS 规范 应用 光伏逆变器、变流器和工业电机驱动器 智能电网输配电 感应加热和焊接 MSC015SMA070B N 沟

明佳达，星际金华供求 ADUM7442ARQZ，ADUM1251WARZ，ADUM263N0BRIZ数字隔离器 16-SSOP 表面贴装 ADUM7442ARQZ 数字隔离器 产品描述 ADUM7442ARQZ 功耗极低，在数据速率高达 25 Mbps 的情况下，功耗仅为同类隔离器的十分之一到六分之一。 功能特点 高达 25 Mbps 的数据速率（NRZ） 3 V/5 V 电平转换 高温操作： 105°C 高共模瞬态抗扰度： >15 kV/μs 2 通道 ADUM1251WARZ 数字隔离器 8-SOIC 产品描述 ADUM1251WARZ 是可热插拔的数字隔离器，具有与 I2C 接口兼容的非闭锁双向通信通道。这样

明佳达，星际金华供求 数字隔离器:ISO6740DWR，ISO6742DWR，ISO1642DWR 4 通道数字隔离器 ISO6740DWR 50Mbps 集成电路芯片 16-SOIC 产品说明 ISO6740DWR 带有使能引脚，可用于将相应输出置于高阻抗，以满足多主驱动应用的需要。 特点 宽温度范围：-40°C 至 125°C 1 Mbps 时每通道典型电流为 1.6 mA 传播延迟低： 典型值为 11 毫微秒 强大的电磁兼容性 (EMC) 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度 ±8 kV IEC 61000-4-2 隔离栅接触放电保护 集成电路芯片 ISO6742DWR 50Mbps 四通道数字隔离器 16-SOIC

AGFA027R24C2E2V：1.4GHz，英特尔 Agilex F-系列 027 FPGA - 现场可编程门阵列，Agilex F FPGA - 2.7M 逻辑元件，FBGA-2340 系列：Agilex F 架构：MPU，FPGA 核心处理器：带 CoreSight™ 的四核 ARM® Cortex®-A53 MPCore™，ARM NEON，浮点 RAM 大小：256KB 外设：DMA，WDT 连接能力：EBI/EMI，以太网，I2C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG 速度：1.4GHz 主要属性：FPGA - 2.7M 逻辑元件 工作温度：0°C ~ 100°C（TJ） I/O 数：744 星际金华，明佳达【供应】【回收】AGFA027R24C2E2V（Agilex F-系列 027 FPGA），AP0102

明佳达，星际金华供求 A4980KLPTR汽车可编程步进驱动器，AD7276ARMZ模数转换器 双极电机驱动器 A4980KLPTR 28-TSSOP 汽车可编程步进驱动器 产品描述 A4980KLPTR 是一款灵活的微步进电机驱动器，内置翻译器，操作简单。它是一种单芯片解决方案，设计用于在高达 28 V 和 ±1.4 A 的电压下以全步、半步、四分之一步和十六步模式操作双极步进电机。 A4980KLPTR 可通过简单的步进和方向输入进行控制，也可通过兼容 SPI 的串行接口进行控制，该接口还可用于对许多集成

明佳达，星际金华供求 现场可编程门阵列：EP2C35F48I8N，EP2C35F672C7，EP2C35F672I8N 现场可编程门阵列 EP2C35F48I8N FBGA-484 FPGA 集成电路 产品描述 EP2C35F48I8N Cyclone II FPGA 成本低、功能优化，是各种汽车、消费、通信、视频处理、测试和测量以及其他终端市场解决方案的理想之选。 集成电路芯片 EP2C35F672C7 现场可编程门阵列 672-FBGA IC 芯片 产品描述 EP2C35F672C7 Cyclone II 器件支持 Nios II 嵌入式处理器，允许您实施定制的嵌入式处理解决方案。 特性 高级 I/O 支持 支持

明佳达，星际金华供求AD73311ARZ-REEL模拟前端，DDS 合成器AD9850BRS 1 通道 AD73311ARZ-REEL 通用模拟前端 20-SOIC 低功耗 CMOS 产品描述 AD73311ARZ-REEL 是一款完整的前端处理器，适用于语音和电话等通用应用。它具有一个 16 位 A/D 转换通道和一个 16 位 D/A 转换通道。 功能特点 16 位 A/D 转换器 16 位 D/A 转换器 可编程输入/输出采样率 75 dB ADC SNR 70 dB DAC SNR 64 kS/s 最大采样率 125MHz 集成电路芯片 AD9850BRS 完整 DDS 合成器 28-SSOP IC 芯片 产品说明 AD9850BRS 0 是一款高度集成的器

G40H11331HR-C（Mini-SAS 高密度连接器）：36POS，Mini-SAS HD 内部连接器 连接器样式：插座 连接器类型：SAS，迷你型 HD 针位数：36 安装类型：通孔，直角 端接：压配 特性：销锁 触头表面处理：镀金 触头表面处理厚度：30.0µin（0.76µm） 星际金华，明佳达【供应】【收购】G40H11331HR-C【Mini-SAS 高密度连接器】G40H2132212HR-C。 G40H2132212HR-C：36POS，Mini-SAS 高密度连接器，SAS存储接口 - 数据速率更快、带宽更高 产品详情：Mini-SAS HD 内部连接器，高速输入输出连接器，

明佳达，星际金华供求 现场可编程门阵列：XC7K325T-2FFG900I，XC7S25-2CSGA225I 高性能 XC7K325T-2FFG900I 现场可编程门阵列 IC 900-BBGA 产品描述 XC7K325T-2FFG900I FPGA 的直流和交流特性是在商用、扩展、工业、扩展 (-1Q) 和军用 (-1M) 温度范围内指定的。 功能特点 功能强大的时钟管理芯片 (CMT)，结合了锁相环 (PLL) 和混合模式时钟管理器 (MMCM) 块，可实现高精度和低抖动。 利用 MicroBlaze™ 处理器快速部署嵌入式处理。 IC 芯片 XC7S25-2CSGA225I 1V Spartan-7 现场可编程门阵列 IC 产

明佳达，星际金华供求 HMAA8GR7CJR4N-XN 低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMM 产品描述 HMAA8GR7CJR4N-XN 寄存双数据速率同步 DRAM 双列直插式内存模块是使用 DDR4 SDRAM 器件的低功耗、高速运行内存模块。安装在服务器和工作站等系统中时，这些寄存 SDRAM DIMM 可用作主存储器。 特点 电源： VDD=1.2V (1.14V 至 1.26V) VDDQ= 1.2V （1.14V 至 1.26V） VPP- 2.5V（2.375V 至 2.75V） VDDSPD=2.25V 至 2.75V 功能和操作符合 DDR4 SDRAM 数据表要求 16 个内部存储体 应用了银行组，同一银行组或不同银行组

明佳达，星际金华供求模数转换器：AD5592RBCPZ-1-RL7，AD5592RBCPZ-RL7，AD5592RBRUZ 集成电路芯片 AD5592RBCPZ-1-RL7 16-WFQFN SPI 接口 8 通道 ADC 产品描述 AD5592RBCPZ-1-RL7 有 8 个 I/Ox 引脚（I/O0 至 I/O7），可独立配置为数模转换器 (DAC) 输出、模数转换器 (ADC) 输入、数字输出或数字输入。 功能特点 采样率 400 kS/s 设置时间：6 秒 SNR - 信噪比：69 dB 8 通道 AD5592RBCPZ-RL7 12 位数模转换器 16-WFQFN IC 芯片 产品描述 AD5592RBCPZ-RL7 内置 2.5 V、20 ppm/°C 基准电压（默认关闭）和集成温度指

明佳达，星际金华供求ADAU1860BCBZRL编解码器，AD9081BBPZ-4D4AB/AD9081BBPZ-4D4AC射频前端 IC 芯片 ADAU1860BCBZRL 24 位音频接口编解码器 IC 56-UFBGA 封装 产品说明 ADAU1860BCBZRL 针对高性能音频/浮点应用进行了优化，具有大容量片上静态随机存取存储器 (SRAM)、消除输入/输出 (I/O) 瓶颈的多条内部总线以及创新的数字音频接口 (DAI)。 功能特点 3 路差分或单端模拟输入，可配置为麦克风或线路输入 8 路数字麦克风输入 模拟差分音频输出，可配置为线路输出或耳机驱动 IC 芯

明佳达，星际金华供求 AD2426BCPZ，AD2427KCPZ，AD2427BCPZ音频收发器 1 通道表面贴装 AD2426BCPZ 集成电路芯片音频收发器 IC 产品描述 AD2426BCPZ 提供一个脉冲密度调制（PDM）接口，可直接连接多达四个 PDM 数字麦克风。 功能特点 多达 32 个上行和 32 个下行通道 PDM 接口 可编程 PDM 时钟速率 电子集成电路 AD2427KCPZ 音频收发器 IC 表面贴装 产品说明 AD2427KCPZ 收发器支持 A2B 总线供电功能，主节点通过与通信链路相同的菊花链双绞线电缆向从节点提供电压和电流。 功

明佳达，星际金华供求 降压稳压器TPS563231DRLR，IGBT模块FF450R12ME4，处理器RK3399 SOT-563 表面贴装 TPS563231DRLR 3A 同步降压型稳压器 TPS563231DRLR 的产品说明 TPS563231DRLR 是一款简单易用的 3-A 同步降压型转换器，采用 SOT563 封装。 TPS563231DRLR 器件经过优化，能以最少的外部元件数量运行，并能实现较低的待机电流。 TPS563231DRLR 的特点 3-A 转换器集成 95-mΩ 和 55-mΩ FET 具有快速瞬态响应的 D-CAP3™ 模式控制 输入电压范围 4.5 V 至 17 V 输出电压范围：0.6 V 至 7 V 0.6 V 至 7

明佳达，星际金华供求 存储器：S26HS512TGABHM010，S28HS01GTGZBHM033，S70KL1283GABHV023 电子集成电路 S26HS512TGABHM010 512Mbit HyperBus 存储器 IC 产品描述 S26HS512TGABHM010 的时钟输入信号用于 SEMPER™ Flash 在接收 DQ 信号上的命令/地址/数据信息时捕获信号。 功能 4KB 扇区的编程-擦除周期最少为 300,000 次 至少 25 年的数据保存期 NOR Flash S28HS01GTGZBHM033 闪存 - NOR SLC 存储器 IC 1Gbit SPI - 八进制 200MHz 产品描述 S28HS01GTGZBHM033 SEMPER™ Flash Octal 产品系列是一款高速 CMOS、MIRRORBIT™ NOR

明佳达，星际金华供求 微处理器：LX2162RN82029B，AM5746ABZXA，AM5729BABCXEA 16 核 64 位集成电路芯片 LX2162RN82029B 2GHz 微处理器 - MPU 产品描述 LX2162RN82029B 处理器采用 23 x 23 毫米的微型封装，拥有 16 个 Arm®v8 Cortex®-A72 内核，可提供服务器级的性能。该处理器拥有 12 条 SerDes 通道，支持 PCIe® Gen 3 和 4 x 25 千兆位以太网，采用 16 纳米 FinFET 工艺技术，功耗低，是空间受限的高性能板卡的理想之选。 功能特点 多达 16 个 64 位 Armv8 Cortex-A72 CPU 内核，运行频率高达 2.0GH

明佳达，星际金华供求 LFD2NX-17-7MG121C/LFD2NX-40-8BG256C/LFD2NX-40-7BG196C现场可编程门阵列 通用型 LFD2NX-17-7MG121C 现场可编程门阵列 IC 121-VFBGA 产品描述 LFD2NX-17-7MG121C 支持对基于 SRAM 的可重构逻辑结构进行快速配置，以及对其可编程 sysI/O™ 进行超快速配置（少于 3 毫秒）。 功能特点 可编程压摆率（慢速、中速、快速） 受控阻抗模式 支持模拟 LVDS 支持热插拔 集成电路芯片 256-LFBGA LFD2NX-40-8BG256C 可编程逻辑 IC 产品说明 LFD2NX-40-8BG256C 内置基于帧的 SED/SEC（用于基

实时打印贴标，可定制在线流水线配套实施打印，一码一物，一物多码，在线生成二维码，条形码，不浪费一张标签#LNG率先晋级S14八强#

明佳达，星际金华供求 SiC 功率模块：MSCSM70TLM10C3AG，MSCDC100A120D1PAG，MSCDC100A170D1PAG 4N 沟道碳化硅 MOSFET MSCSM70TLM10C3AG 汽车 IGBT 模块 700V 产品描述 MSCSM70TLM10C3AG 是 4N 沟道碳化硅 MOSFET 模块，700V 241A (Tc)，通孔模块。 规格 技术：碳化硅 (SiC) 配置：4 N 沟道 漏极至源极电压 (Vdss)：700V 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：241A (Tc) Rds On（最大）@ Id，Vgs：9.5mOhm @ 80A，20V 特性 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C： 241A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9.5mOhm @ 80A，20V Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 8mA（

明佳达，星际金华供求 SiC功率模块MSCSM70HM05CAG，MSCSM70HM038CAG，MSCSM120HM063CAG 分立半导体晶体管 MSCSM70HM05CAG 700V 汽车 IGBT 模块 产品描述 MSCSM70HM05CAG 碳化硅 (SiC) 电源模块将一系列强大的技术集成到单个封装中，优化了可靠性、效率、节省空间并缩短了装配时间。 应用 电动汽车/混合动力汽车 (EV/HEV) 动力系统和动能回收系统 (KERS) 飞机驱动系统 发电系统 开关模式电源 汽车 IGBT 模块 MSCSM70HM038CAG 莫斯菲特阵列晶体管 螺钉固定式 产品描述 MSCSM70HM038CAG 随时可

明佳达，星际金华供求 碳化硅晶体管：MSC180SMA120，MSC360SMA120，MSC400SMA330 MSC180SMA120 21A 125W N 沟道晶体管 产品描述 MSC180SMA120 设计具有高重复非钳位电感开关 (UIS) 能力，其 SiC MOSFET 可保持约 10J/cm2 至 15J/cm2 的高 UIS 能力和 3ms 至 5ms 的强大短路保护能力。 应用 国防 工业 医疗 MSC360SMA120 1200V 360mOhm TO-247 封装晶体管 产品描述 MSC360SMA120 具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，反向电流小，开关损耗低。 应用 光伏解决方案 动力总成和电动汽车充

明佳达，星际金华 供求 高性能MCU：SPC5746RK1MMT5，SPC5643LF2MLQ1，SPC5602PEF0MLL6R 32 位 MCU SPC5746RK1MMT5 双电源拱形内核 LFBGA252 高性能 200MHz 产品描述 SPC5746RK1MMT5 是 Power Architecture® MCU，面向需要先进性能、定时系统和功能安全功能的工业和汽车发动机/变速箱控制应用。 SPC5746RK1MMT5 采用高性能多核架构，具有基于行业标准 eTPU 的定时器系统。提供可扩展的闪存、内核配置和封装选项，并支持最高级别的功能安全 (ASIL-D)。 功能特点 4M 闪存 以太网 10/100 总 SRAM 容