明佳达,星际金华供求 IGBT 晶体管:IKW50N65ET7XKSA1,IKW30N65ET7XKSA1,IKW20N65ET7XKSA1
IKW50N65ET7XKSA1 单通道 IGBT 晶体管 TO-247-3
产品描述
IKW50N65ET7XKSA1 是一款 IGBT 沟道场截止型 650 V 50 A 273 W 晶体管,通孔型号为 PG-TO247-3。
特点
极低的 VCEsat
关断损耗低
短尾流
IKW30N65ET7XKSA1 IGBT 沟道场截止晶体管
产品描述
IKW30N65ET7XKSA1 是一款高效的短路耐用型分立式 IGBT,其饱和电压比其他产品至少低 10%。
特点
降低电磁干扰
防潮设计
非常软、快速恢复的反并联二极管
IGBT 晶体管 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 集成电路芯片
产品描述
IKW20N65ET7XKSA1 采用非常软的全额定 EC7(发射极控制)二极管,可显著降低 IGBT 饱和 VCEsat 和低 Qrr。
特性
最大结温 Tvjmax = 175°C
通过 JEDEC 目标应用认证
无铅电镀;符合 RoHS 规范
IKW50N65ET7XKSA1 单通道 IGBT 晶体管 TO-247-3
产品描述
IKW50N65ET7XKSA1 是一款 IGBT 沟道场截止型 650 V 50 A 273 W 晶体管,通孔型号为 PG-TO247-3。
特点
极低的 VCEsat
关断损耗低
短尾流
IKW30N65ET7XKSA1 IGBT 沟道场截止晶体管
产品描述
IKW30N65ET7XKSA1 是一款高效的短路耐用型分立式 IGBT,其饱和电压比其他产品至少低 10%。
特点
降低电磁干扰
防潮设计
非常软、快速恢复的反并联二极管
IGBT 晶体管 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 集成电路芯片
产品描述
IKW20N65ET7XKSA1 采用非常软的全额定 EC7(发射极控制)二极管,可显著降低 IGBT 饱和 VCEsat 和低 Qrr。
特性
最大结温 Tvjmax = 175°C
通过 JEDEC 目标应用认证
无铅电镀;符合 RoHS 规范