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0半导体物理里面，为什么mp比m0差个十倍啊，题目里面不是mp＝0.86m0吗？怎么到计算后面就变成0.086了
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1假设施主杂质浓度大于受主杂质浓度，施主杂质是先电离后填充受主能级，还是先填充受主能级后电离呢。 我看第一个图片的意思是先填充后电离，但第二个图片的意思好像是先电离后填充受主能级（没理解错的话），这样的话n0的公式不应该是我写的那个样子吗（第三张图片）
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0求问 老师留的思考题 将军镇楼
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1最近导师让看半导体物理与器件这本书 网上要卖100多有点贵了 有没有哥分享一下pdf版的
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3211本华五硕，导师方向是氮化镓单晶材料生长及表征和氮化镓光电性质调控，不知道出来就业情况怎么样啊
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4正偏看明白了 咋就是想不明白反偏的情况嘞😭比方说载流子浓度具体咋变化，电流就更没理解了，费米能级为什么又和EcEv交叉了？什么意思呢？有无大佬能为我解答一下？😭😭😭急急急！Joker猫
10-11
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2我高中没学物理，上大学用这本书一脸懵，老师讲的好像基本没用到这本书，网课也找不到这本书，咋整啊求助下吧友
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1老哥们，求解回旋共振的问题
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3房客的猫
2023-09
一本征半导体为例，本征半导体费米能级在禁带中线，功函数是溢出到表面的最小能量。可是最小能量不应该是价带顶到真空能级吗，因为他电子占据的最高能级就是价带顶 -
1安集科技的安全生产管理
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0这里空穴是多子，Ef应该更靠近Ev才对吧，为啥答案是靠近Ec，求大佬解答
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1积极履行社会责任
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0粒子的总能量E=hv （在薛定谔方程中求只与时间有关的波函数） 一个非相对论性粒子的能量E=p平方/2m 这两个E所代表的能量有关系吗 有点懵
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0请问在没学完半导体物理的情况下（基础了解，但没深入学习），想要直接学功率半导体器件能行吗？
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1快期末了，要背题但是大题计算不会做，求个大神帮忙做一下计算，一共四道大题谢酬300元，有没有大神
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14lz电子信息工程（电力电子）专业大三，这学期新开一门半导体物理。之前没学过固体物理，只学过大物，上到电子能带这里感觉一头雾水，很多疑问教材和老课都没有提及，特来寻求大佬意见。主要有几个问题： 1.波矢和波数的定义到底是什么？看到很多教科书上互相混用，网上也有见解说不同学科里定义不同，以方便计算。求一个定论以安心（钻牛角尖） 2.看B站柴长春的录播，讲单电子近似时候，不理解为什么计算出电子群速=0（E-k关系图上切线
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51.什么时候能判断远远大于？ 2.如果没有这么判断得出的结果算错吗？ 3.计算过程中得出的数（不是最终结果）一般四舍五入到小数点后几位？
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好吧
2023-12
h和h拔数值不同，考试的时候计算结果也会不一样，这个会扣分吗 -
4这本书，有点难啊求答案
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1半导体中电子分布遵循玻尔兹曼分布函数（即电子分布不受泡利不相容原理限制，是因为当EF- E》kT时，随着能量的升高电子占据几率非常低就等于不受影响。在半导体中（虽然EF-E》kT）但是导带底的电子不是还会受泡利原理限制吗？
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2金半接触距离间隙很小的时候，半导体体内指向体表的电场是怎么来的啊，表面不是正电荷，体内是负电荷，电场方向不是由正电荷指向负电荷吗，只用电场连续性不是很能理解这个电场到底是怎么来的
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1这公式到底怎么得到的啊 我已经尽力求到这步了
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1Pb、Sn都是第四主族元素，但a为面心立方结构，β为金刚石结构，请从原子价角度解释两者差异的原因
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2求助求助 正向偏压时耗尽层空穴电流为什么大于电子电流啊
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4这两个为什么一个势垒是从费米能级到价带，一个是从导带到费米能级。
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05.3这道题目，感觉只依靠：σ=eμn（因为已经知道是n型半导体，电导率取决于多子已经把少子部分忽略）求不出来。
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3求助
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1这个少子寿命我不是很能理解
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1大注入正偏压下，空穴扩散区电子发生扩散运动，空穴也随之发生扩散运动扩散区不是依旧能维持电中性吗，为什么还会产生电场呢
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1我在画异质结能带图的时候，怎么判断两边的弯曲程度谁大谁小呀，怎么判断费米能力到底在哪里呀，怎么判断弯曲后哪个能带在费米能级上方，哪个在下方呀家人们
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2设晶格常数为a(一维晶格)，为什么波矢K=1/2a?为什么电子从能带底运动到能带顶波矢变化是从0到1/2a而不是π/啊。把我搞糊涂了.网友们帮帮忙
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0有没有佬能直接解出来Ef的一般解析式
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0这道题没有答案，不知道怎么下手
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4有哪位大佬能回答一下怎么由电阻率为0.3得到掺杂浓度为2✖️16次方吗，还有这种图怎么看啊
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1专业课辅导，初试复试真题。
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0金属和p型半导体行成mis结构的时候，耗尽，反型，这些情况中导带的电子是从哪里来的啊，是导带中很少的电子积累过来的吗；深耗尽时，空间电荷层内少数载流子产生速率赶不上电压变化是不是指的是，导带中的电子还来不及在半导体表面累积，然后半导体体内价带较高能级的电子往表面层方向移动，填充受主的空穴，行成受主负电荷。
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1是较新的那一版，不是什么学习辅导与典型题解
Maybach
好吧
