求助pn结加正向偏压耗尽层空穴电流为什么大于电子电流

正向偏压下，半导体中的载流子会受到电场力的作用，向结区移动。由于电子的迁移速度比空穴快，因此电子电流会比空穴电流大。然而，当正向偏压增加到一定程度时，耗尽层中的空穴会被电场力加速，从而获得更高的能量。这些高能量的空穴会更容易地穿过结区，形成空穴电流。因此，在正向偏压下，空穴电流会比电子电流大。

楼主看的题应该是空穴浓度大吧p正n结吧