芯片 CMP 即化学机械平坦化（Chemical Mechanical Polishing）技术 ，是芯片制造过程中用于实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺。工作原理它综合了化学腐蚀和机械研磨的协同作用。在 CMP 过程中，将晶圆固定在抛光机的承载台上，使其与涂有研磨液的抛光垫紧密接触。研磨液中含有化学试剂，能与晶圆表面的材料发生化学反应，使材料表面形成一层较软且易于去除的反应产物。同时，抛光机通过机械力驱动晶圆在抛光垫上进行相对运动，利用抛光垫的摩擦力将这层反应产物从晶圆表面研磨掉。通过精确控制化学腐蚀速率和机械研磨速率，CMP 工艺能够有效去除晶圆表面的凸起部分，实现晶圆表面的高度平坦化。