器件描述
1、STGWA40H65DFB：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 沟槽栅场截止 650 V、40 A 高速 HB 系列 IGBT
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT。该器件是新型 HB 系列 IGBT 的一部分，在传导和开关损耗之间实现了最佳折衷，从而最大限度地提高了变频器的效率。此外，略正的 VCE（饱和）温度系数和非常紧密的参数分布使并联运行更加安全。
功能特点
最高结温 TJ = 175 °C
高速开关系列
尾电流最小
低饱和电压： VCE(sat) = 1.6 V（典型值） @ IC = 40 A
严格的参数分布
安全并联
正 VCE（饱和）温度系数
热阻低
极快的软恢复反并联二极管
应用
太阳能逆变器（组串式和集中式）
交直流转换器

全新原装【供应】晶体管 STGWA40H65DFB（IGBT）/ STW58N60DM2AG（MOSFET）深圳明佳达现货供应
STW58N60DM2AG：MOSFET 汽车级 N 沟道 600 V、0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 功率 MOSFET
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh™ DM2 快恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷 (Qrr) 和时间 (trrr) 以及低 RDS(on)，因此适用于要求最苛刻的高效率转换器，也是桥式拓扑结构和 ZVS 相移转换器的理想选择。
特性
专为汽车应用设计，通过 AEC-Q101 认证
快速恢复体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
低导通电阻
100% 经过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
齐纳保护
应用
开关应用