IPD50P04P4L-11——40V，P通道汽车MOSFET晶体管，TO-252-3
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：4.5V，10V
Vgs（最大值）：+5V，-16V
功率耗散（最大值）：58W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3-313
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
星际金华，明佳达【供应及回收】IPD50P04P4L-11汽车MOSFET晶体管，LC5256MV-75FN256C复杂可编程逻辑器件，VND7030AJTR高侧驱动器。
LC5256MV-75FN256C——ispXPLD® 5000MV 复杂可编程逻辑器件（CPLD）IC
系列：ispXPLD® 5000MV
可编程类型：系统内可编程
延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5ns
供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V
逻辑元件/块数：8
宏单元数：256
I/O 数：141
工作温度：0°C ~ 90°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：256-BGA
供应商器件封装：256-FPBGA（17x17）
星际金华，明佳达【供应】【回收】IPD50P04P4L-11汽车MOSFET晶体管，LC5256MV-75FN256C复杂可编程逻辑器件，VND7030AJTR高侧驱动器。
VND7030AJTR：具有MultiSense模拟反馈的双通道高侧驱动器，可用于汽车应用，PowerSSO-16
开关类型：通用
输出数：2
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高端
输出类型：N 通道
接口：开/关
电压 - 负载：4V ~ 28V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：不需要
电流 - 输出（最大值）：40A
导通电阻（典型值）：31 毫欧
输入类型：非反相
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerSSO-16
封装/外壳：16-PowerLFSOP（0.154"，3.90mm 宽）
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：4.5V，10V
Vgs（最大值）：+5V，-16V
功率耗散（最大值）：58W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3-313
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
星际金华，明佳达【供应及回收】IPD50P04P4L-11汽车MOSFET晶体管，LC5256MV-75FN256C复杂可编程逻辑器件，VND7030AJTR高侧驱动器。
LC5256MV-75FN256C——ispXPLD® 5000MV 复杂可编程逻辑器件（CPLD）IC
系列：ispXPLD® 5000MV
可编程类型：系统内可编程
延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5ns
供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V
逻辑元件/块数：8
宏单元数：256
I/O 数：141
工作温度：0°C ~ 90°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：256-BGA
供应商器件封装：256-FPBGA（17x17）
星际金华，明佳达【供应】【回收】IPD50P04P4L-11汽车MOSFET晶体管，LC5256MV-75FN256C复杂可编程逻辑器件，VND7030AJTR高侧驱动器。
VND7030AJTR：具有MultiSense模拟反馈的双通道高侧驱动器，可用于汽车应用，PowerSSO-16
开关类型：通用
输出数：2
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高端
输出类型：N 通道
接口：开/关
电压 - 负载：4V ~ 28V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：不需要
电流 - 输出（最大值）：40A
导通电阻（典型值）：31 毫欧
输入类型：非反相
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerSSO-16
封装/外壳：16-PowerLFSOP（0.154"，3.90mm 宽）
