韩国媒体报道，三星电子近日与长江存储达成了一项3D NAND混合键合专利许可协议，将从第10代V-NAND（V10）开始，采用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术领域。
此次三星与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议，充分说明了一个问题，3D NAND芯片设计开始走向“分离式”架构，也就是在制造工艺上，将存储芯片单元与控制电路设计分开制造，最后通过键合的方式连接在一起，这也就是长江存储3D NAND混合键合专利的核心技术。

这项技术也就是长江存储的“Xtackig晶栈”技术，也可以称之为“混合键合”（Hybrid Bonding）技术，长江存储已经申请了专利。
按照媒体的说法，三星研究后认为，开发堆叠400多层NAND Flash，使用这种技术，会使产品性能更强，更为稳定，所以三星已与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，并计划从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始，使用这一技术来制造存储芯片。
Xtackig晶栈的原理，主要是将存储部分，和读写部分分开制造，然后再封装在一起。
因为存储部分，不能一味的追求先进工艺，芯片制程达到一定程度后，工艺再进步，稳定性就会受影响，而存储芯片最重要的就是稳定。
但读写部分是可以不断提升工艺，的工艺越先进，读写速度越快，所以这两部分要分开来制造，最后再“混合键合”在一起，这就是最基础的原理。

四年前美国举国之力封杀长江存储，那时候长江存储刚搞出晶栈，恐怕三星自己都想不到，今天会跪着来买长江存储的专利！
三星为啥怂了？因为它家堆到430层的NAND芯片，底层电路快压炸了！ 传统方法就像用胶水粘芯片，层数一多就崩，而长江存储的晶栈（Xtacking）技术，直接给芯片贴膜——两片晶圆啪一下贴一起，不用胶水不用钉，性能暴增还省钱！

2016年7月，被寄予厚望的长江存储在湖北武汉成立，自创立之初，长江存储创新不辍，历经十余年的发展，长江存储研发的多项技术终于走到了世界前列，实现从追赶到领跑的逆袭之路，让世界看到中国存储技术的发展之光。
长江存储如今已经在多个关键领域积累、布局超过1万件专利，这些专利覆盖了从晶圆预处理到热压成型的全链条技术节点，环环相扣的专利帮助长江存储构筑起了一道坚固的专利“护城河”，有效阻止竞争对手侵权的同时，还能为其与国际企业的合作与竞争提供坚实的基础。，