韩国媒体报道,三星电子近日与长江存储达成了一项3D NAND混合键合专利许可协议,将从第10代V-NAND(V10)开始,采用长江存储的专利技术,特别是在“混合键合”技术领域。
此次三星与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议,充分说明了一个问题,3D NAND芯片设计开始走向“分离式”架构,也就是在制造工艺上,将存储芯片单元与控制电路设计分开制造,最后通过键合的方式连接在一起,这也就是长江存储3D NAND混合键合专利的核心技术。

此次三星与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议,充分说明了一个问题,3D NAND芯片设计开始走向“分离式”架构,也就是在制造工艺上,将存储芯片单元与控制电路设计分开制造,最后通过键合的方式连接在一起,这也就是长江存储3D NAND混合键合专利的核心技术。
