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#城市GDP#历史首次!三星向长江存储低头,采用长江存储专利技术!

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IP属地:湖北来自Android客户端1楼2025-02-26 14:47回复
    韩国媒体报道,三星电子近日与长江存储达成了一项3D NAND混合键合专利许可协议,将从第10代V-NAND(V10)开始,采用长江存储的专利技术,特别是在“混合键合”技术领域。
    此次三星与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议,充分说明了一个问题,3D NAND芯片设计开始走向“分离式”架构,也就是在制造工艺上,将存储芯片单元与控制电路设计分开制造,最后通过键合的方式连接在一起,这也就是长江存储3D NAND混合键合专利的核心技术。


    IP属地:湖北来自Android客户端2楼2025-02-26 14:48
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      这项技术也就是长江存储的“Xtackig晶栈”技术,也可以称之为“混合键合”(Hybrid Bonding)技术,长江存储已经申请了专利。
      按照媒体的说法,三星研究后认为,开发堆叠400多层NAND Flash,使用这种技术,会使产品性能更强,更为稳定,所以三星已与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议,并计划从其第10代(V10)NAND Flash产品(430层)开始,使用这一技术来制造存储芯片。
      Xtackig晶栈的原理,主要是将存储部分,和读写部分分开制造,然后再封装在一起。
      因为存储部分,不能一味的追求先进工艺,芯片制程达到一定程度后,工艺再进步,稳定性就会受影响,而存储芯片最重要的就是稳定。
      但读写部分是可以不断提升工艺,的工艺越先进,读写速度越快,所以这两部分要分开来制造,最后再“混合键合”在一起,这就是最基础的原理。



      IP属地:湖北来自Android客户端3楼2025-02-26 14:49
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        四年前美国举国之力封杀长江存储,那时候长江存储刚搞出晶栈,恐怕三星自己都想不到,今天会跪着来买长江存储的专利!
        三星为啥怂了?因为它家堆到430层的NAND芯片,底层电路快压炸了! 传统方法就像用胶水粘芯片,层数一多就崩,而长江存储的晶栈(Xtacking)技术,直接给芯片贴膜——两片晶圆啪一下贴一起,不用胶水不用钉,性能暴增还省钱!


        IP属地:湖北来自Android客户端4楼2025-02-26 14:50
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          2016年7月,被寄予厚望的长江存储在湖北武汉成立,自创立之初,长江存储创新不辍,历经十余年的发展,长江存储研发的多项技术终于走到了世界前列,实现从追赶到领跑的逆袭之路,让世界看到中国存储技术的发展之光。
          长江存储如今已经在多个关键领域积累、布局超过1万件专利,这些专利覆盖了从晶圆预处理到热压成型的全链条技术节点,环环相扣的专利帮助长江存储构筑起了一道坚固的专利“护城河”,有效阻止竞争对手侵权的同时,还能为其与国际企业的合作与竞争提供坚实的基础。,


          IP属地:湖北来自Android客户端5楼2025-02-26 14:51
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