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铠侠SD10和英睿达P3Plus固态硬盘,全盘写入测试

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抖音买的TLC版本英睿达P3Plus,刚好和原先的SD10做个对比。两个盘均采用群联E21T PCIe 4.0主控。
测试环境,AMD 5600G,只有PCIe3.0

其中P3Plus是1T版本,SD10是2T的,测试前先填充1T文件,保证两个盘的剩余空间都是930GB多一点。
使用python生成930GB的不可压缩文件,然后全盘复制到测试盘,测试前两个盘都进行TRIM。
结果:
TLC版本英睿达P3Plus
刚开始SLC缓存阶段,保持3GB/S的满速。
在160G左右掉速到400MB/S,

在350G左右,进入TLC直写阶段,1.6GB/S,一直到结束。总耗时约15分钟。

铠侠SD10
刚开始SLC缓存阶段,保持3GB/S的满速。
在280G左右掉速到460MB/S,

在500G左右,进入下一个低速状态,250MB/S波动(最低120MB/S),一直到结束。总耗时约44分钟。


结论:
TLC版本英睿达P3Plus,优点是固件策略还行,美光232层B58R颗粒素质不错,SLC缓外1.6G/S。缺点是不能个人送保(等于无保修),2T以上版本依然是QLC。
铠侠SD10,优点是支持个人送保,不需要颗粒抽奖,群联E21主控稳定功耗低,适合笔记本等。缺点是固件策略一般,112层BiCS5颗粒,SLC缓外性能较差,不适合300GB以上大文件频繁读写,家用游戏环境不影响。
视频工作者等重度生产环境需要,请使用企业级固态硬盘。


IP属地:浙江1楼2025-01-23 20:17回复
    python脚本
    import numpy as np
    def generate_large_file(filename, size_gb):
    chunk_size = 1024 * 1024 * 1024 * 5 # 每次写入 5GB
    total_size = size_gb * 1024 * 1024 * 1024 # 转换为字节
    written = 0
    with open(filename, 'wb') as f:
    while written < total_size:
    # 生成 10GB 的随机数据
    data = np.random.bytes(chunk_size)
    f.write(data)
    written += len(data)
    print(f"已写入5GB")
    #
    if __name__ == "__main__":
    # 定义保存的文件位置
    output_file = "F:/archive.bin"
    # 生成 930GB 的文件
    generate_large_file(output_file, 930)
    print(f"打包完成,文件已保存为 {output_file}")


    IP属地:浙江2楼2025-01-23 20:45
    回复
      2025-06-28 03:02:47
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      顶顶~


      IP属地:山东来自iPhone客户端3楼2025-01-23 21:00
      回复
        大佬方便的话可以测测缓外4K嘛


        IP属地:山东来自iPhone客户端4楼2025-01-23 21:00
        收起回复
          顶顶,我当初看着B站上有的测过刚变成tlc那段时间的p3plus跟铠侠一样的三段式,不过整体性能调教要比sd10要好一点。就是可惜了保修这块比较拉,不然这个也是性价比的不错选择。


          IP属地:江西来自Android客户端5楼2025-01-23 21:25
          回复
            v0.393a
            OS: 10.0 build 19045
            Drive : 3(NVME)
            Driver : W10(3:3)
            Model : CT1000P3PSSD8
            Fw : P9CR413
            HMB : 65536 - 65536 KB (Enabled, 64 M)
            Size : 953869 MB [1000.2 GB]
            LBA Size: 512
            AdminCmd: 0x00 0x01 0x02 0x04 0x05 0x06 0x08 0x09 0x0A 0x0C 0x10 0x11 0x14 0x80 0x81 0x82 0x84 0xC1 0xC2 0xD0 0xD1 0xD2 0xE0 0xE1 0xE2 0xF2
            I/O Cmd : 0x00 0x01 0x02 0x04 0x05 0x09 0x0C
            Firmware lock supported [02 04] [P008] [0108]
            Handshake error: 2
            Drive unlocked [02 04]
            F/W : V6CR405F
            P/N : 00000000
            Bank00: 0x2c,0xe3,0x89,0x32,0xe8,0x30,0x12,0x0 - Micron 232L(B58R) TLC 2048Gb/CE 1024Gb/die
            Bank01: 0x2c,0xe3,0x89,0x32,0xe8,0x30,0x12,0x0 - Micron 232L(B58R) TLC 2048Gb/CE 1024Gb/die
            Bank02: 0x2c,0xe3,0x89,0x32,0xe8,0x30,0x12,0x0 - Micron 232L(B58R) TLC 2048Gb/CE 1024Gb/die
            Bank03: 0x2c,0xe3,0x89,0x32,0xe8,0x30,0x12,0x0 - Micron 232L(B58R) TLC 2048Gb/CE 1024Gb/die
            Controller : PS5021-E21
            CPU Clk : 982
            Flash CE : 4
            Flash Channel : 4
            Interleave : 1
            Flash CE Mask : [++++---- -------- -------- --------]
            Flash Clk,MT : 14
            Die per CE : 2
            Block per CE : 6804
            Page per Block: 2784
            Bit Per Cell : 3(TLC)
            PE Cycle Limit: 60000/1000
            SLC cache : 0x100000/0x60000
            JEDEC : MICRON MT29F8T08EQLCHL5 [06F9]
            Page size : 18352 (16384+1968)
            Page/Block: 2784
            Block/LUN : 3402
            LUN/Chip : 2
            Bit/Cell : 3 (TLC)
            PlanAdrBit: 3 (upto 8 plane)
            Endurance : 3000
            Defects Early Read Prog Erase
            Bank00: 111 0 0 0
            Bank01: 146 0 0 0
            Bank02: 124 0 0 0
            Bank03: 118 0 0 0
            Total : 499 0 0 0
            Defects Early Read Prog Erase
            Ce00Pl0: 8 0 0 0
            Ce00Pl1: 8 0 0 0
            Ce00Pl2: 8 0 0 0
            Ce00Pl3: 9 0 0 0
            Ce00Pl4: 7 0 0 0
            Ce00Pl5: 12 0 0 0
            Ce01Pl0: 10 0 0 0
            Ce01Pl1: 9 0 0 0
            Ce01Pl2: 12 0 0 0
            Ce01Pl3: 12 0 0 0
            Ce01Pl4: 9 0 0 0
            Ce01Pl5: 7 0 0 0
            Ce02Pl0: 10 0 0 0
            Ce02Pl1: 9 0 0 0
            Ce02Pl2: 10 0 0 0
            Ce02Pl3: 10 0 0 0
            Ce02Pl4: 8 0 0 0
            Ce02Pl5: 15 0 0 0
            Ce03Pl0: 16 0 0 0
            Ce03Pl1: 20 0 0 0
            Ce03Pl2: 16 0 0 0
            Ce03Pl3: 13 0 0 0
            Ce03Pl4: 8 0 0 0
            Ce03Pl5: 11 0 0 0
            Total : 257 0 0 0
            =============================================
            网上搜了下,不知道对不对,美光的232层堆叠3D TLC闪存使用1Gb die设计。
            出厂坏块率=257Defects/(4CE * Block per CE=6804),也就是0.95%的坏块率?


            IP属地:浙江7楼2025-01-23 21:41
            收起回复
              酷鱼510能买吗


              IP属地:广东来自Android客户端8楼2025-01-23 23:00
              收起回复
                无敌啊,性价比可以


                IP属地:上海来自Android客户端10楼2025-01-24 00:06
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                  2025-06-28 02:56:47
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                  缺点是英睿达这个牌子自己用的东西都比较渣,镁光的贴牌盘很多时候比镁光的东西好,硬盘是这样,内存也是这样


                  IP属地:湖北来自Android客户端13楼2025-01-24 04:21
                  收起回复
                    这个SD10的缓外怎么会这么差?不知道那几款比如p44pro、990pro旗舰缓外有多快。


                    IP属地:四川来自Android客户端14楼2025-01-24 07:56
                    收起回复
                      这两款估计也是目前首选了


                      IP属地:湖南来自iPhone客户端15楼2025-01-24 08:31
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                        P3P多少入的啊?


                        IP属地:四川来自iPhone客户端16楼2025-01-24 11:06
                        收起回复
                          老哥我P3plus到了,用SMI软件检测怎么检测不出来哦


                          IP属地:贵州来自iPhone客户端17楼2025-01-24 12:44
                          收起回复
                            rc20缓外 1t 700 2t1400


                            IP属地:河北来自Android客户端18楼2025-01-24 16:38
                            收起回复
                              2025-06-28 02:50:47
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                              可惜英睿达无保


                              IP属地:湖北来自Android客户端19楼2025-01-24 17:14
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