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IGBT晶体管 STGB19NC60KDT4,STM8S103F3P6TR 8位微控制器 -MCU

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描述:
1、STGB19NC60KDT4是20 A、600 V短路保护IGBT,是采用先进的 PowerMESH™ 技术开发的超高速 IGBT。这种工艺保证了开关性能和低导通行为之间的出色权衡。
功能
低导通压降 (VCE(sat))
低 CRES / CIES 比率(无交叉传导易感性)
短路耐受时间 10 μs
IGBT 与超快自由旋转二极管共同封装
规格
产品种类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
技术:Si
封装 / 箱体:D2PAK-3
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:2 V
栅极/发射极最大电压:- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:35 A
Pd-功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
集电极最大连续电流 Ic:35 A

【供应】IGBT功率晶体管 STGB19NC60KDT4,STM8S103F3P6TR 8位微控制器 -MCU 全新原装现货
2、STM8S103F3P6TR 8 位微控制器 (MCU) 集领先的性能、稳健性、外设和成本效益于一身。高性能的MCU 采用先进的 20 MIP STM8 8 位内核,具有哈佛架构和 3 级流水线、稳健的架构(双看门狗、时钟安全和符合 IEC61967 标准的 EMI 辐射)、丰富的外设集(10 位 ADC、高级定时器、CAN、UART、SPI、I2C)和最高集成度(真正的 EEPROM、16MHz 和 128KHz 片上 RC 振荡器)。意法半导体的 STM8S 系列满足了工业和家电应用的苛刻要求,同时还提供了大量其他优势,包括出色的性能和代码密度、存储器的可扩展性、降低的系统成本和外部元件需求。
产品属性
产品种类:8位微控制器 -MCU
核心:STM8
程序存储器大小:8 kB
数据 RAM 大小:1 kB
封装 / 箱体:TSSOP-20
最大时钟频率:16 MHz
ADC分辨率:10 bit
输入/输出端数量:16 I/O
电源电压-最小:2.95 V
电源电压-最大:5.5 V
安装风格:SMD/SMT
数据总线宽度:8 bit
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
数据 Ram 类型:RAM
数据 ROM 大小:640 B
数据 Rom 类型:EEPROM
接口类型:I2C, SPI, UART
ADC通道数量:5 Channel
计时器/计数器数量:7 Timer
处理器系列:STM8S


IP属地:广东1楼2025-01-20 14:29回复