器件说明：
1.IPB100N04S4-H2是一款 40V N-Ch 2.4 mΩ OptiMOS™-T2 汽车MOSFET。
特性：
N 沟道 - 增强模式
通过 AEC 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 规范）
100% 通过雪崩测试
优势：
在 40V（导通）电压下具有全球最低的 RDS
最高电流能力
开关和传导功率损耗最低，热效率最高
坚固耐用的封装，具有卓越的质量和可靠性
优化的总栅极电荷使驱动器输出级更小

全新原装现货晶体管：IPB100N04S4-H2 汽车MOSFET，IPB042N10N3G N沟道功率MOSFET
2.IPB042N10N3G是一款 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET，可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。
特点和优势
出色的开关性能
全球最低的 RDS(on)
极低的 Qg 和 Qgd
出色的栅极电荷 x RDS（导通）乘积（FOM）
符合 RoHS 规范，无卤素
MSL1 额定值 2
环保
效率更高
功率密度最高
并联需求更少
占用最小的电路板空间
易于设计的产品