IQFH61N06NM5 功率晶体管，IMZC120R040M2H MOSFET晶体管

IQFH61N06NM5：60V，OptiMOS™5 功率晶体管，PG-TSON-12
型号：IQFH61N06NM5
封装：PG-TSON-12
类型：OptiMOS™5 功率晶体管
IQFH61N06NM5 - 产品特点：
N通道 MOSFET 晶体管
出色的热阻
额定温度为 175°C
针对低压驱动应用进行了优化
针对电池供电应用进行了优化
针对同步整流进行了优化
极低的导通电阻 Ros(on)
100% 通过雪崩测试IMZC120R040M2H
星际金华，明佳达【供应及回收】IQFH61N06NM5（OptiMOS™5 功率晶体管），IMZC120R040M2H（碳化硅 MOSFET 晶体管）。
IMZC120R040M2H：CoolSiC™1200V SiC MOSFET G2 - 采用 .XT 互联技术的碳化硅 MOSFET 晶体管，TO-247-4
产品种类：碳化硅MOSFET
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-247-4
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：1200V
Id-连续漏极电流：48A
Rds On-漏源导通电阻：40mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10V, + 25V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.1V
Qg-栅极电荷：39nC
最小工作温度：- 55℃
最大工作温度：+ 175℃
Pd-功率耗散：218W