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APG80N10NF永源微 100V n沟道增强模式MOSFET

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描述
APG80N10NF采用先进的APM-SGTⅠⅠ技术
提供优良的rds (ON),低栅极电荷和
栅极电压低至10V。这
该装置适合作为电池保护装置使用
或其它开关应用。
一般特征
V ds = 100v I d = 80a
R DS(ON) < 8mΩ @ V GS =10V(类型:6.5mΩ)
应用程序
直流/直流转换器
LED背光
电源管理交换机


IP属地:广东1楼2024-11-29 09:38回复
    为积极响应科研及工程技术人员需求,落实人工智能战略部署,加快培养数字技术人才,特举办新质技术之第九期“生成式AI、大模型、多模态技术开发与应用研修班”。特帮助各企业了解人工智能AI大模型,培养与时代接轨的人才。此次上课时间安排培训时间:2025年01月16日-20日(16日全天报道)地点:昆明(同时提供线上直播)


    IP属地:北京来自Android客户端2楼2024-12-20 09:56
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