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国电南瑞半导体——SIC MOS芯片

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DCD20P12K2_H 1200V 20A SiC肖特基二极管, 芯片

特点 Features
• 工作频率高High-Frequency Operation
• 温度稳定性好Temperature-IndependentSwitching
• 开关损耗趋零Essentially No Switching Losses
• 正温度系数Positive Temperature Coefficient on VF
• 高阻断电压肖特基型整流管High Breakdown Voltage Schottky Rectifier


IP属地:河南1楼2024-09-20 16:02回复