意味着该产业链的又一重大项目被推进，而储能逆变器作为其中重要一环。在市场中可以选择怎么样的IGBT单管来代换国际型号75N65的参数来使用呢？

目前在国家政策的支持下，国产化IGBT单管发展进入快车道。我国IGBT技术不断更新迭代，目前国产化IGBT就有国产FHA75T65A型号可以直接代换75N65型号参数来使用在储能逆变器。
为什么是FHA75T65AIGBT单管？这是由于它拥有高可靠性以及反向并行的快恢复二极管特性，Trench Field Stop technology（关断损耗低、拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降）、拥有正温度系数。
结合IGBT单管特点可知，这一款75A、650V电流、电压的FHA75T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在储能逆变器的逆变电路上。
在应用中值得储能逆变器研发工程师留意，这款优质FHA75T65A国产IGBT单管的详细参数：其具有75A, 650V, VCEsat典型值：1.75V-typ ，＜2.0V；ID (Tc=100℃)：75A；BVdss：650V；IF（A）(Tc=25℃)：150A；IF（A）(Tc=100℃)：75A。

FHA75T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，通过优化工艺和使用Trench Field stop Ⅱ technology ，即可获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。
FHA75T65A出色的导通压降与极短的拖尾电流为客户在优化系统效率时提供有力的帮助。
目前FHA75T65A型号IGBT单管已经广泛适用于储能逆变器、户外储能电源、UPS、光伏逆变器、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~60KHz。

封装形式是TO-247也进一步验证其适合代换75N65型号IGBT单管。在国产化技术与性价比的提升下，选用FHA75T65A的IGBT单管是直接代换75N65参数型号，帮助提高产品的稳定性、可靠性。
650V、75A 的IGBT代换使用，对于储能逆变器选对型号很重要。飞虹半导体的IGBT不仅广泛应用于储能逆变器中，还可用于户外储能电源、变频器、光伏逆变器、电焊机和工业缝纫机等终端应用场景。为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可