描述
该 IGBT 采用先进的 Power MESH™ 工艺，在低频工作条件下（最高 1 kHz）具有极低的导通压降。
明佳达出售ST功率晶体管 STGF10NB60SD 16 A、600 V低压降IGBT，带柔软、恢复速度极快的二极管
产品型号: STGF10NB60SD
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3 FP
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 20 A
Pd-功率耗散: 25 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
集电极连续电流: 10 A
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
高度: 9.3 mm
长度: 10.4 mm
工厂包装数量: 1000
宽度: 4.6 mm
单位重量: 2.300 g
特点
低导通压降 (VCE(sat))
高电流能力
超软超快恢复反并联二极管
应用
调光器
静态继电器
电机驱动