回复：海思新专利

这种做法去实现1nm附近的工艺，最终量产产品的工艺复杂度想必会令人瞠目结舌，如此复杂的工艺对于微电子制造的两大基本任务的挑战是会让人发狂的
其实微电子制造本质上就解决两大任务：一曰污染控制，二曰加工精度控制
步骤一多，每一步的加工误差和引入的污染叠加起来，到最后可能是一个毫无良率的结果

3nm应该可以用这个顶一顶，1nm肯定还是要用euv的

还是琢磨弯道超车，直接上电子束直写。
慢点就慢点呗，多几台机器的事儿

技术是可行的。但成本飞天。5纳米必须用euv。这是成本问题。

Duv硬要做成3纳米之类的，又不是做不出来。主要是成本问题，良率没法保证成本得上天了。

技术路径：重复定位精度，加创新的刻蚀技术。
这似乎让EUV很难在体现成本优势呀，这并不需要多次曝光呀。
华为，牛逼，遥遥领先。

这方面，去查查激光干涉仪有没有达到精度要求，光刻胶有没有就清楚了。

越吹越离谱

这大概相当于歼20快都服役了我们还跟俄罗斯签了24架苏35订单。算是以防万一吧

SAQP已经是木办法的办法了，仅仅是“能做”芯片而已，实际上现在提倡双重曝光以上都引入EUV光刻机，不然成本就比较高，但国内现在就没有这个东西，只能尽量挖掘潜力

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