氮化硅陶瓷（Si3N4）是一种重要的结构陶瓷材料，具有高强度、高硬度、耐磨损、抗腐蚀以及高热导等独特的优异性能，在国防、能源、航空航天、机械、石化、冶金、电子等领域有着广泛的应用。

但Si3N4是强共价键化合物，其扩散系数低、引起致密化的体积扩散及晶界扩散速度小、烧结驱动力小，因此难以实现烧结致密化。
要制备高强度、高密度氮化硅陶瓷，通常采用MgO，Y2O3，Al2O3，La2O3等作为助烧剂，助烧剂在高温下形成液相促进氮化硅的溶解、析出从而实现氮化硅的烧结。
但Si3N4的烧结存在致密化和热分解这一矛盾，Si3N4在高温环境下易升华分解，常压烧结须采用埋粉方法烧结，温度一般控制在1750 ℃以下，而且需要添加大量助烧剂以形成液相烧结，但冷却后形成的晶界玻璃相使材料的高温性能劣化。
因此，工业上为了获得致密的氮化硅烧结体，人们更亲睐于气压烧结法。气压烧结是指提高氮气压力(一般是1-10 MPa)，抑制Si3N4的热分解以提高烧结温度(1800-1900℃)，便于形成耐火度高的晶间玻璃相等，从而制备性能更优的Si3N4陶瓷。