惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，性价比高，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。
惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
惠海半导体中低压场效率管（MOSFET）
【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
【惠海MOS管常规型号】17N06 30N06 50N06 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400
【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管 3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管 SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管
更多型号如下：
型号：HG160N10LS N沟道场效应管 丝印HC310 100V3A 3N10 SOT23-3封装 内阻200mR SGT工艺
型号：HG021N10L N沟道场效应管 丝印 HG25N10 100V25A T0-252封装 内阻25mR SGT工艺
型号：HG160N10LS N沟道场应管 丝印HC510 100V5A (5N10)SOT23-3封装 内阻155mR
型号：HG085N10L N沟道场效应管 100V15A SOT89 封装 内阻70mR
型号：HG160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装 内阻145mR
惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
惠海半导体中低压场效率管（MOSFET）
【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
【惠海MOS管常规型号】17N06 30N06 50N06 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400
【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管 3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管 SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管
更多型号如下：
型号：HG160N10LS N沟道场效应管 丝印HC310 100V3A 3N10 SOT23-3封装 内阻200mR SGT工艺
型号：HG021N10L N沟道场效应管 丝印 HG25N10 100V25A T0-252封装 内阻25mR SGT工艺
型号：HG160N10LS N沟道场应管 丝印HC510 100V5A (5N10)SOT23-3封装 内阻155mR
型号：HG085N10L N沟道场效应管 100V15A SOT89 封装 内阻70mR
型号：HG160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装 内阻145mR
