明佳达，星际金华 供求 MT62F1G64D8WT-031存储器芯片，TMC5072双极步进电机驱动器，339S01015电源管理IC
MT62F1G64D8WT-031 LPDDR5 DRAM 存储器 IC 6.4Gbps FBGA 封装
产品描述
MT62F1G64D8WT-031 - 用于移动设备和人工智能 (AI) 的 LPDDR5 DRAM 存储器 IC 专为满足 5G 网络的需求而设计。该 DRAM 允许 5G 智能手机以高达 6.4Gbps 的峰值速度处理数据。
功能
实现 Eedge+ 智能手机的下一代功能
1y 纳米节点，容量为 12GB，数据传输速度为 6.4Gbps，改进了整体 DRAM 设计
与 LPDDR4 相比，能效提高 20% 以上，使旗舰智能手机的充电间隔时间更长
带宽提升 50%以上，可加速 5G 和人工智能等下一代旗舰智能手机功能的性能提升
应用
人工智能
智能手机
网络
TMC5072 2 相高性能双极步进电机驱动器
产品描述
TMC5072 - 双控制器/驱动器，最多用于两个两相双极步进电机。它将用于自动目标定位的灵活斜坡发生器与业界最先进的步进电机驱动器相结合。
特点
两个 2 相步进电机
SPI 和单线 UART，带特殊总线环选项
双编码器接口和每个轴 2x Ref.-Switch 输入
最高分辨率达 256 微步/全步
驱动能力高达 2x 1.1A 线圈电流（2x 1.5A 峰值电流）
可并联一个电机，电流为 2.2A（峰值 3A）
带 SixPoint™ 斜坡的运动控制器
被动制动和空转模式
紧凑型 7x7mm2 QFN48 封装
应用
办公自动化
Heliostat 控制器
电池供电应用
实验室自动化
打印机和扫描仪
MT62F1G64D8WT-031 LPDDR5 DRAM 存储器 IC 6.4Gbps FBGA 封装
产品描述
MT62F1G64D8WT-031 - 用于移动设备和人工智能 (AI) 的 LPDDR5 DRAM 存储器 IC 专为满足 5G 网络的需求而设计。该 DRAM 允许 5G 智能手机以高达 6.4Gbps 的峰值速度处理数据。
功能
实现 Eedge+ 智能手机的下一代功能
1y 纳米节点，容量为 12GB，数据传输速度为 6.4Gbps，改进了整体 DRAM 设计
与 LPDDR4 相比，能效提高 20% 以上，使旗舰智能手机的充电间隔时间更长
带宽提升 50%以上，可加速 5G 和人工智能等下一代旗舰智能手机功能的性能提升
应用
人工智能
智能手机
网络
TMC5072 2 相高性能双极步进电机驱动器
产品描述
TMC5072 - 双控制器/驱动器，最多用于两个两相双极步进电机。它将用于自动目标定位的灵活斜坡发生器与业界最先进的步进电机驱动器相结合。
特点
两个 2 相步进电机
SPI 和单线 UART，带特殊总线环选项
双编码器接口和每个轴 2x Ref.-Switch 输入
最高分辨率达 256 微步/全步
驱动能力高达 2x 1.1A 线圈电流（2x 1.5A 峰值电流）
可并联一个电机，电流为 2.2A（峰值 3A）
带 SixPoint™ 斜坡的运动控制器
被动制动和空转模式
紧凑型 7x7mm2 QFN48 封装
应用
办公自动化
Heliostat 控制器
电池供电应用
实验室自动化
打印机和扫描仪
