当然除了产品具备的优良特点外,110N8F5B能替代SVG095R0NT、 IPP052N08N5中低压MOS管型号型号其还具备优良的参数:
1、Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;
2、ID(A):147A;BVdss(V):85V
3、最大脉冲漏极电流(IDM ):480A
4、N 沟道增强型场效应晶体管
5、选用TO-220封装产品可用于驱动电路中
6、反向传输电容:23pF
7、静态导通电阻RDS(on) = 4.4mΩ(MAX)
@贴吧用户_0RbVC7P🐾 = 10 V,RDS(on) =5.5mΩ(TYP) @VGS = 10 V
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