在放大电路的中频段（中频域）下，电路的各种寄生电容、电感等分布参数的影响相对较小，电路的频率特性主要由有源器件和电阻网络决定。这时相位特性通常较为简单，不再受到较多高频或低频端的额外相移影响。以下是原因分析：
1. 有源器件固有相移特性：
对于典型的单级共射（BJT）或共源（MOSFET）放大器，由于电路拓扑结构决定，输出相对于输入会有约 180° (即 π 弧度) 的相移，这是一种基本特性，与中频段处有源器件的增益行为有关。在中频下，没有额外的极点与零点显著影响相位，所以相移基本维持在 π 弧度左右。
2. 无多余极点/零点影响：
在中频段，电路的频率响应通常进入所谓的“平坦带”或中频带，此时电路的增益接近常数，有效极点和零点都远在该频段之外（可能在高频出现寄生电容导致相移增加，或在低频有耦合电容引入相移），因此相位不会显著偏离初始的π弧度相移。
3. 多级放大器相移叠加：
如果有多个增益级，每级可能引入约 π 弧度（180°）的相移，当这些奇数或偶数级的π相移叠加时，就有可能使总相移为 0、π、2π、3π……等整数倍的 π。如果恰好是偶数级具有相同的基本相移特性，那么最后的总相移就可能是 0 或 2π（即 360°）的偶数倍π，从而使输出与输入在相位上呈整周的倍数关系。
4. 忽略小的相移分量：
在中频段，对电感、电容等引起的轻微相位偏移可以近似忽略，剩余的相移主要由拓扑结构本身决定，因而稳定在 π 的整数倍。
总结来说，在中频段放大电路中，因无额外复杂的极点/零点影响和有源器件的基本拓扑特性，使输出对输入的相位关系趋于简单，多为 π 的整数倍数（尤其是偶数倍）的结果。