sic和igbt的区别有以下几个方面：1.sic和igbt都是功率半导体器件，但sic是宽禁带材料，而igbt是硅基材料。sic具有更高的击穿电场强度、更高的热导率、更高的工作温度和更小的芯片面积等优势。2.sic和igbt在开关特性上也有不同。sic-mosfet是单极器件，没有尾电流，可以实现更快的开关速度和更低的开关损耗。igbt是双极器件，有尾电流，开关速度受限，开关损耗较大。3.sic和igbt在应用上也有不同。sic-mosfet适用于高压、高频、高效的电力转换应用，如新能源汽车、风力发电、光伏逆变等。igbt适用于中低压、中低频、大电流的电力转换应用，如工业驱动、轨道交通、变频空调等。