在Workshop期间，安集微电子科技（上海）股份有限公司（简称“安集科技”）产品应用副总监王胜利应邀发表题为《先进制程刻蚀后清洗技术》演讲报告在演讲中，王胜利主要分享了逻辑器件先进技术节点的后段干法刻蚀残留物的清洗工艺技术、特别分享了有氮化钛硬掩膜的湿法去除要求的清洗技术指标和实际数据在下一世代的半导体工艺技术的展望中，王胜利探讨了半导体工艺中新材料和新架构对功能性型化学品提出的挑战与机遇在逻辑器件5nm以后世代中GAA 结构的出现，Ru及Air Gap的引入在3D NAND器件中，更高层数的堆叠带来的极高深宽比和Molly的引入， 以及在D1Z世代的DRAM中，Low K材料以及新的电容材料的引入，带来了很多新的并且很有挑战性的功能性化学品机会，并展示了安集科技对于这些新的应用的理解和研发布局。