得益于片对片结构，隔膜表现出快速的离子/电子转移，能够支持快速的氧化还原反应。垂直有序的ZnIn2S4缩短了锂离子的扩散路径，不规则弯曲的纳米片暴露出更多的活性位点，从而有效地锚定多硫化锂（LiPS）。更重要的是，Vs的引入调节了ZnIn2S4的表面或界面电子结构，增强了对LiPS的化学亲和力，同时加速了LiPS的转化反应动力学。正如预期的那样Vs-ZIS@RGO改性隔膜在0.5C下的初始放电容量为1067 mA h g−1。即使在1C下，也能获得优异的长循环稳定性（500次循环710 mA h g–1），每个循环的超低衰减率为0.055%。这项工作提出了一种设计富含硫空位的片对片结构的策略，为合理设计耐用高效的LSB提供了一个新的视角。