一、填空题（每空 2.5 分， 共 25 分）
1 、N 型半导体中多数载流子是 ，本征半导体对外呈电 性。 2、放大状态下，三极管的集电结应 偏，发射结应 偏。 3 、电压负反馈稳定的输出量是 ，会使输出电阻 。
4、整流利用二极管的 特性，稳压利用二极管的 特性。
5 、 差 分 电 路 输 入 电 压 Ui1=2.00V 、 Ui2=1.98V ， 则 此 电 路 差 模 输 入 电 压 Uid 为 V ，共模输入电压 Uic 为 V。
二、单项选择题（每小题 2 分， 共 20 分）
1 、两级放大电路 Au1=10，Au2=100，则电路总增益为 dB。
A ．10 B ．20 C ．40 D ．60
2 、当基极电流 IB 从 20μA 增加到 40μA 时， 集电极电流 IC 从 1mA 变成 2mA，则三极 管的电流放大倍数 β 为 。
A ．200 B ．100 C ．50 D ．20
3、已知三极管共基电流放大系数 α 等于 0.98，当发射极电流为 2mA 时，则基极电流 IB 为 。
A ．40μA B ．1.96mA C ．2mA D ．无法确定
4 、NPN 型三极管构成的放大电路，三极电流测得为， I1=5mA ，I2=0.04mA， I3=5.04mA，则对应的电极分别是 。
A ．E 、B 、C B ．B 、C 、E C ．C 、B 、E D ．C 、E 、B
5、放大管三极对地电位分别为： 7V ，2.7V ，2V，则该管为 。
A ．硅 NPN B ．锗 NPN C ．硅 PNP D ．锗 PNP
6 、两个 β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
A . β B . β2 C ．2β D ．1+β
7 、需要输入电阻 ri 大， 输出电阻 ro 小，应设计用 负反馈电路。
A ．并联电压 B ．并联电流 C ．串联电压 D ．串联电流
8、集成运算放大电路中， U+ ≈U- ，习惯称之为 。
A ．虚零 B ．虚断 C ．虚地 D ．虚短
9、理想运放的指标理想化的结果正确的是 。
A ．输入电阻无穷小 B ．输出电阻无穷小
C ．闭环电压放大倍数无穷大 D ．共模抑制比无穷小
10、运算放大器电路如图所示，其负反馈类型为 。
A ．串联电压 B ．并联电压 C ．串联电流 D ．并联电流
∞
+
+
+
三、多项选择题（每小题 2.5 分， 共 15 分）
1 、PN 结分布电容可分为 。
A ．势垒电容 B ．扩散电容 C ．滤波电容 D ．耦合电容
2、放大器的非线性失真有 。
A ．幅频失真 B ．相频失真 C ．饱和失真 D ．截止失真
3、滤波器按频率响应可分为 。
A ．LPF B ．HPF C ．BPF D ．BRF
4、影响放大器频率特性的因素主要有 。
A ．耦合电容 B ．旁路电容 C ．极间电容 D ．偏置电阻
5、负反馈对放大电路的影响，说法正确的有 。
A ．增益减小 B ．频带展宽 C ．非线性失真减小 D ．抑制噪声
6、理想运放电路分析的依据是 。
A ．U- ≈U+ B ．Uo= Ui C．I- ≈I+ ≈0 D ．Au=1
四、计算题（每小题 10 分， 共 40 分）
1 、实测得图 1 中所示放大状态下的晶体管三极电位分别为 U1=3V ，U2=6V ，U3=3.7V。 判断晶体管的类型，标出其基极、发射极和集电极。
U1
V
U2
图 1
2 、图 2 电路中，各外接元件值及管子参数均已知。
（1）画直流等效电路图， 估算放大器的静态工作点 ICQ ，UCEQ；
（2）画交流等效电路图， 求电压放大倍数 Au= Uo/ Ui 及输入电阻 ri。
Rs
Us
+Ucc
Rb Rc
C2
+
C1
V1
Uo
Re
_
_
图 2
3、已知： 集成运算放大电路如图 3 所示。 已知 U1=1V ，U2=2V。
（1）指出各级运放为何种基本运算电路；
（2）计算 Uo1 、Uo。
4kΩ
— ∞ 1kΩ
+
+ Uo1
U2
图 3
4 、用集成运放设计满足关系式 uo= ‒（10ui1+4ui2）的电路， 要求最大电阻为 10kΩ。