一、填空题（每空 2.5 分，共 25 分）
1、N 型半导体是在本征半导体中加入 价原子的杂质半导体，其多数载流子为 。
2、整流是利用 PN 结的_______特性，稳压是利用 PN 结的_______特性。
3、两级放大电路的第一级电压放大倍数为 10，即电压增益为 dB，第二级电压增益为 26dB，则两级总电压增益为 dB。
4、发射结 偏，集电结 偏，可使双极型晶体管工作在放大区。
5、差动放大器主要是利用电路结构的 特性来减少零点漂移的。
6、多级放大电路各级之间的连接称为 。
二、单项选择题（每小题 2 分，共 20 分）
1、确定放大器直流通路，错误的是 。
A．电容开路 B．电感短路 C．电源保留 D．信号保留
2、二极管两端电压大于 电压时，二极管才导通。
A．击穿 B．死区 C．饱和 D．夹断
3、工作于放大区的三极管，当 IB从 20μA 增加到 40μA 时，IC从 1mA 变成 2mA，则
它的 β 约为 。
A．50 B．100 C．200 D．20
4、阻抗变换电路，要求 ri大，ro小，应选用 负反馈电路。
A．并联电压 B．并联电流 C．串联电压 D．串联电流
5、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
A．杂质浓度 B．温度 C．输入 D．电压
6、已知三极管共基电流放大系数 α 等于 0.98，当发射极电流为 2mA 时，则基极电流和
共发射极电流放大系数 β 分别是 。
A．40μA，49 B．1.96mA，49 C．40μA，0.98 D．无法确定
7、集成运算放大电路非线性应用时输出有 状态。
A．一个 B．两个 C．多个 D．三个
8、差分输入 Ui1=2.00V、Ui2=1.98V，则差模输入电压 Uid为 V。
A．3.98 B．1.99 C．0.02 D．0.01
9、三极管三端对地电位分别为：6.5V，14.3V，15V，则该管为 。
A．硅 NPN B．锗 NPN C．硅 PNP D．锗 PNP
10、集成运算放大电路中，U+=U-，被称为 。
A．虚断 B．虚短 C．虚地 D．虚零
三、多项选择题（每小题 2.5 分，共 15 分）
1、负反馈对放大器影响说法正确的有 。
A．放大倍数下降 B．稳定性提高 C．展宽通频带 D．减少非线性失真
2、物质按导电性能可分为 。
A．导体 B．绝缘体 C．半导体 D．晶体
3、影响放大器频率特性的因素有 。
A．耦合电容 B．旁路电容 C．极间电容 D．偏置电阻
4、放大器的线性失真有 。
A．饱和失真 B．截止失真 C．幅频失真 D．相频失真
5、理想运放的指标理想化的结果有 。
A．输入电阻无穷大 B．输出电阻无穷小
C．开环电压放大倍数无穷大 D．共模抑制比无穷大
6、可使输出电阻减小的负反馈有 。
A．串联电压 B．串联电流 C．并联电压 D．并联电流
四、计算题（每小题 10 分，共 40 分）
1、图 1 电路中，各外接元件值及管子参数均已知。
（1）估算放大器的静态工作点 ICQ，UCEQ；
（2）求电压放大倍数 Au=Uo/Ui；输入电阻 ri；
2、理想运算放大器如图 2 所示，试问：
（1）运放 A1、A2的功能各是什么？
（2）求输出电压出 Uo与输入电压 Ui的关系式
3、已知：集成运算放大电路如图 3 所示。已知 U1=1V，U2=2V，
（1）指出各级运放为何种基本运算电路；
（2）计算 Uo1、Uo
4、用集成运放试设计一个相加器，完成 uo= ‒（2ui1+3ui2）的运算，并要求对 ui1、ui2的
输入电阻均大于等于 100kΩ。