我的机子是i7-10875h+3060,钛坦plus，现在遇到的问题如下：第一，内存修改tREFI至65535之后，可以正常开机，也可以通过TestMem5的测试，但是通过测试有前提条件，就是机械革命的控制台除了显卡超频，其他功率都要拉到最高，不然测试会报错（通过测试主贴图2，报错图1）。第二，通过测试后，玩游戏PUBG会出现随即部分花屏情况，严重直接花屏死机。第三，之前有个大佬帮忙出了一套参数，可以将跑分控制在下图水平，依然是拉满控制台才能通过测试，玩游戏依然崩溃花屏。顺便补充一下我的系统是Win11,预览版，显卡驱动是现在最新版本512.95。求各位看到的大佬指点指点~~（主贴图三参数是之前平常用的，只调了频率至3200Hz）

我也想弄那么低的延迟，我是amd平台的

65535会有一堆错误

tREF数值越高耐热性越差

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后来怎么样了楼主

很多人可能没有明白tREFI是什么意思，所以超频的时候直接填了最大值65535。
DRAM是需要过一定的时间刷新一次，不然的话保存的数据会丢失。你可以理解成就像电容有自放电现象存在，充好了电放一段时间电会跑掉，DRAM也是一样的。tREFI就是指为了维持DRAM的数据不丢失，两次刷新之间的间隔时间。所以根据内存芯片的体质不同，tREFI的值也是不同的，不能无脑填写65535这个最大间隔周期。楼上说的tREFI和耐热性有关，其实是因为温度越高内存芯片的自放电越快，所以内存工作温度越高，tREFI要越小。一般默认的tREFI是比较保守的，以我的科赋CJR 单条32GB内存为例，3200MHz情况下tREFI默认12480，经测试可以放宽到2倍，也就是24960，为了稳定我采用12480*1.85大约23000这个值。

tREFI=内存频率*3.9