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姓 名 学 号
西安电子科技大学网络与继续教育学院
2022 学年上学期
《模拟电子技术基础》期末考试试题
（综合大作业）
题号 一 二 三 四 总分
题分 25 20 15 40
得分
考试说明：
1、大作业试题公布时间：2022 年4 月22 日；
2、考试必须独立完成，如发现抄袭、雷同均按零分计；
3、答案须用《西安电子科技大学网络与继续教育学院2022 春期末考试答题纸》（个人专属答题纸）手写完成，要求字迹工整、卷面干净、整齐；
4、拍照要求完整、清晰，一张图片对应一张个人专属答题纸（A4 纸），正确上传。
一、填空题（每空2.5 分，共25 分）
1、N 型半导体中多数载流子是 。整流是基于二极管 性。
2、晶体三极管工作在放大区的条件是发射结 偏，集电结 偏。
3、第一级电压放大倍数为 10，即电压增益为 dB，第二级电压增益为 26dB，则两级放大器总电压放大倍数为 。
4、理想运算放大器的开环增益为 ，运放正常放大时需设计 反馈电路。
5、差分放大器主要是利用电路结构的 特性来减少零点漂移的。
6、负反馈是指 。
二、单项选择题（每小题2 分，共20 分）
1、本征半导体的电子浓度 空穴浓度。
A、大于B、小于C、等于D、无法确定2、稳压二极管是利用 PN 结的 特性进行稳压的。
A、正向导通B、反向截止C、电容效应D、反向击穿
3、工作于放大区的三极管，当 IB 从 40μA 增加到 60μA 时，IC 从 2mA 变成 3mA，则它的电流放大倍数 β 为 。
A、200B、100C、50D、20
4、晶体管共基电流放大系数 α 等于 0.98，则共发射极电流放大系数 β 等于 。
A、0.98B、49C、98D、无法确定
5、三极管三极对地电位分别为：6.5V，14.3V，15V，则该管为 。A、硅 NPNB、锗 NPNC、硅 PNPD、锗 PNP
6、放大管三极对地电位分别为：7V，2.7V，2V，则该管为 。A、硅 NPNB、锗 NPNC、硅 PNPD、锗 PNP
7、已知三极管共基电流放大系数α 等于0.98，当发射极电流为2mA 时，则基极电流IB
是 。
A、40μAB、1.96mAC、2mAD、无法确定
8、负反馈电路，要求输入电阻 ri 大，应选用 负反馈。
A、并联B、串联C、电压D、电流
9、负反馈电路，要求输出电阻 ro 小，应选用 负反馈。
A、并联B、串联C、电压D、电流
10、理想运放分析时 I-≈I+≈0，常被称为 。
A、虚短B、虚断C、虚地D、虚零
三、多项选择题（每小题2.5 分，共15 分）
1、物质按导电性能可分为 。
A、导体B、绝缘体C、半导体D、晶体2、共集电极放大器具有的特点有。
A、输入电阻大B、电压放大倍数大C、输出电阻小D、输入输出同相3、影响放大器低频频率特性的因素主要有。
A、耦合电容B、旁路电容C、极间电容D、偏置电阻4、放大器的线性失真有 。
A、饱和失真B、截止失真C、幅频失真D、相频失真5、滤波器按工作频率可分为 。
A、LPFB、HPFC、BPFD、BRF
6、理想运放电路分析的依据是 。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、Uo=UiD、Au=1
四、分析计算题（每小题10 分，共40 分）
1、分析图1 所示放大电路，分别画出直流和交流等效电路并指出放大器类型。
图1
2、集成运算放大电路如图2 所示。已知U1=1V，U2=2V：
（1） 指出各级运放为何种基本运算电路；
（2） 计算Uo1、Uo。
4kΩ
o
图2
3、用集成运放设计满足关系式uo= ‒（10ui1+4ui2）的电路，要求最大电阻为10kΩ。
4、电路如图3 所示，ui =10sinwt V，E=5V，二极管正向导通电压忽略不计，分析并画出输出电压uo 的波形。
R
姓 名 学 号
西安电子科技大学网络与继续教育学院
2022 学年上学期
《模拟电子技术基础》期末考试试题
（综合大作业）
题号 一 二 三 四 总分
题分 25 20 15 40
得分
考试说明：
1、大作业试题公布时间：2022 年4 月22 日；
2、考试必须独立完成，如发现抄袭、雷同均按零分计；
3、答案须用《西安电子科技大学网络与继续教育学院2022 春期末考试答题纸》（个人专属答题纸）手写完成，要求字迹工整、卷面干净、整齐；
4、拍照要求完整、清晰，一张图片对应一张个人专属答题纸（A4 纸），正确上传。
一、填空题（每空2.5 分，共25 分）
1、N 型半导体中多数载流子是 。整流是基于二极管 性。
2、晶体三极管工作在放大区的条件是发射结 偏，集电结 偏。
3、第一级电压放大倍数为 10，即电压增益为 dB，第二级电压增益为 26dB，则两级放大器总电压放大倍数为 。
4、理想运算放大器的开环增益为 ，运放正常放大时需设计 反馈电路。
5、差分放大器主要是利用电路结构的 特性来减少零点漂移的。
6、负反馈是指 。
二、单项选择题（每小题2 分，共20 分）
1、本征半导体的电子浓度 空穴浓度。
A、大于B、小于C、等于D、无法确定2、稳压二极管是利用 PN 结的 特性进行稳压的。
A、正向导通B、反向截止C、电容效应D、反向击穿
3、工作于放大区的三极管，当 IB 从 40μA 增加到 60μA 时，IC 从 2mA 变成 3mA，则它的电流放大倍数 β 为 。
A、200B、100C、50D、20
4、晶体管共基电流放大系数 α 等于 0.98，则共发射极电流放大系数 β 等于 。
A、0.98B、49C、98D、无法确定
5、三极管三极对地电位分别为：6.5V，14.3V，15V，则该管为 。A、硅 NPNB、锗 NPNC、硅 PNPD、锗 PNP
6、放大管三极对地电位分别为：7V，2.7V，2V，则该管为 。A、硅 NPNB、锗 NPNC、硅 PNPD、锗 PNP
7、已知三极管共基电流放大系数α 等于0.98，当发射极电流为2mA 时，则基极电流IB
是 。
A、40μAB、1.96mAC、2mAD、无法确定
8、负反馈电路，要求输入电阻 ri 大，应选用 负反馈。
A、并联B、串联C、电压D、电流
9、负反馈电路，要求输出电阻 ro 小，应选用 负反馈。
A、并联B、串联C、电压D、电流
10、理想运放分析时 I-≈I+≈0，常被称为 。
A、虚短B、虚断C、虚地D、虚零
三、多项选择题（每小题2.5 分，共15 分）
1、物质按导电性能可分为 。
A、导体B、绝缘体C、半导体D、晶体2、共集电极放大器具有的特点有。
A、输入电阻大B、电压放大倍数大C、输出电阻小D、输入输出同相3、影响放大器低频频率特性的因素主要有。
A、耦合电容B、旁路电容C、极间电容D、偏置电阻4、放大器的线性失真有 。
A、饱和失真B、截止失真C、幅频失真D、相频失真5、滤波器按工作频率可分为 。
A、LPFB、HPFC、BPFD、BRF
6、理想运放电路分析的依据是 。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、Uo=UiD、Au=1
四、分析计算题（每小题10 分，共40 分）
1、分析图1 所示放大电路，分别画出直流和交流等效电路并指出放大器类型。
图1
2、集成运算放大电路如图2 所示。已知U1=1V，U2=2V：
（1） 指出各级运放为何种基本运算电路；
（2） 计算Uo1、Uo。
4kΩ
o
图2
3、用集成运放设计满足关系式uo= ‒（10ui1+4ui2）的电路，要求最大电阻为10kΩ。
4、电路如图3 所示，ui =10sinwt V，E=5V，二极管正向导通电压忽略不计，分析并画出输出电压uo 的波形。
R
