EMMI测试
微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)（EMMI波长范围：400nm到1100nm ）是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点（Hot Spot）的工具。通过侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明:在pn Junction加偏压，此时n的电子很容易扩散到p，而p的空穴也容易扩散至n然后与p端的空穴(或n端的电子)做 EHP Recombination。
芯片失效分析EMMI+FIB测试 18814096302 邵工
应用范围application：
1.检测芯片封装打线和芯片内部线路短路。
2.晶体管和二极管的短路和漏电。
3.TFT LCD面板&PCB/PCBA的金属线路缺陷和短路。
4.PCB/PCBA上的部分失效元器件。
5.介电层（Oxide）漏电。
6.ESD闭锁效应。
7.3D封装（Stacked Die）失效点的深度预估。
8.芯片未开封的失效点的定位侦测（区分封装于Die）
9.低阻抗短路（<10ohm）的问题分析常用于分析一些未开盖的样品测试，以及大型PCB上的金属线路及元器件的失效定位，金属层遮挡OBIRCH及INGAAS无法侦测的漏电（Leakage）、短路等情况也会使用其进行分析。
案例一：
随着集成电路设计与工艺水平的飞速发展，其线宽不断下降，集成度日益提高，集成电路的失效定位相应也迎来了巨大挑战。在现代集成电路失效分析中，如何在几十亿的晶体管中快速准确地进行失效定位已成为一个非常重要的技术。尤其针对大规模复杂集成电路，如果在进行破坏性分析之前没有做好失效定位，后续寻找物理失效点的过程无异于大海捞针。
某型号BGA芯片输出端口与地之间漏电。由于BGA芯片封装结构特殊，开封后无法进行测试，因此若开封之前未做失效定位，开封后将很难找到具体的物理失效点，失效机理分析也就无从谈起。于是我们采用OBIRCH技术对其进行失效定位，在漏电端口和地之间施加电压，激光扫描后定位到芯片上存在异常亮点。成功进行失效定位后我们再芯片进行去层处理并用扫描电子显微镜放大观察，可以看到芯片在异常亮点处的金属化存在烧毁形貌。如下图所示：
图1 样品OBIRCH定位异常亮点
微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)（EMMI波长范围：400nm到1100nm ）是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点（Hot Spot）的工具。通过侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明:在pn Junction加偏压，此时n的电子很容易扩散到p，而p的空穴也容易扩散至n然后与p端的空穴(或n端的电子)做 EHP Recombination。
芯片失效分析EMMI+FIB测试 18814096302 邵工
应用范围application：
1.检测芯片封装打线和芯片内部线路短路。
2.晶体管和二极管的短路和漏电。
3.TFT LCD面板&PCB/PCBA的金属线路缺陷和短路。
4.PCB/PCBA上的部分失效元器件。
5.介电层（Oxide）漏电。
6.ESD闭锁效应。
7.3D封装（Stacked Die）失效点的深度预估。
8.芯片未开封的失效点的定位侦测（区分封装于Die）
9.低阻抗短路（<10ohm）的问题分析常用于分析一些未开盖的样品测试，以及大型PCB上的金属线路及元器件的失效定位，金属层遮挡OBIRCH及INGAAS无法侦测的漏电（Leakage）、短路等情况也会使用其进行分析。
案例一：
随着集成电路设计与工艺水平的飞速发展，其线宽不断下降，集成度日益提高，集成电路的失效定位相应也迎来了巨大挑战。在现代集成电路失效分析中，如何在几十亿的晶体管中快速准确地进行失效定位已成为一个非常重要的技术。尤其针对大规模复杂集成电路，如果在进行破坏性分析之前没有做好失效定位，后续寻找物理失效点的过程无异于大海捞针。
某型号BGA芯片输出端口与地之间漏电。由于BGA芯片封装结构特殊，开封后无法进行测试，因此若开封之前未做失效定位，开封后将很难找到具体的物理失效点，失效机理分析也就无从谈起。于是我们采用OBIRCH技术对其进行失效定位，在漏电端口和地之间施加电压，激光扫描后定位到芯片上存在异常亮点。成功进行失效定位后我们再芯片进行去层处理并用扫描电子显微镜放大观察，可以看到芯片在异常亮点处的金属化存在烧毁形貌。如下图所示：
图1 样品OBIRCH定位异常亮点
