-电压Vf：芯片20mA正常电流工作时的电压。此外还有5mA小电流工作时的电压Vf2等。
-亮度Iv：芯片正常电流工作时的亮度。此外还有小电流亮度Iv2。
-波长Wld：正常工作时的积分波长。此外还有峰值波长Wlp、小电流波长Wld2。
-半宽Hw：正常工作时的发光峰半宽值。
-蓝移：大电流与小电流工作状态下的波长差。
-漏电Ir：施加8V反向电压时的电流。
-反向电压Vz：施加10uA反向电流时的电压。
-抗静电ESD：器件抗静电能力，分为人体模式与机械模式。
电压Vf1高：
外延片工作状态压降主要来源：nGaN、MQW、pGaN、pAlGaN等。
若nGaN的Si掺杂过少，将导致电压高、Vz高、ESD变差，亮度无太大影响。
若MQW出现问题，Vf1与Vf3将一同升高，并可能伴有亮度下降、半宽蓝移等数据异常的现象。
若pGaN的Mg掺少导致电压升高，将同时导致ESD变差、亮度降低等。
若pAlGaN中Al掺杂过量导致电压升高，将会导致Vz变大、ESD变差。
电压Vf1低：
电压偏低一般是由nGaN的Si掺杂过多导致，将伴随Ir变大，ESD变差等现象。
亮度（Iv）低：
快速中亮度Iv分为直接亮度Iv与460nm折算亮度Ivnor，两者都与波长关系紧密。若波长偏短，Iv亮度和Ivnor亮度都将降低，前者降低幅度更大。若波长偏长， Iv亮度和Ivnor亮度都会变高，但Ivnor亮度变高幅度较小，有可能因为“波长长亮度低”影响良率。
若波长正常，对比小电流下亮度Iv、蓝移、半宽等数据有无异常，若有则量子阱结构需要调整。
若量子阱确定正常，则检查电压、漏电、ESD等数据有无异常，综合判断异常点。
亮度高：
根据外延波长、板型的不同，有时会出现亮度偏高的情况，可以通过调整量子阱的个数、结构，调整Al掺杂，改变衬底等方法进行改善。
Hw、蓝移都会对产品的成色造成影响。为了提高产品的一致性，需要将外延的Hw、蓝移值限定在一定的范围内。
蓝移与Hw的大小与量子阱中跃迁能级的变化幅度有很大关系。由于InGaN与GaN的晶格失配，会在量子阱中产生极化效应，致使电子跃迁的幅度将发生变化，将导致Hw增加，蓝移变大。同时，极化效应会使载流子复合产生声子，导致热阻变大从而影响寿测。
通过减少In掺杂或者将阱宽减薄的方法，可以减小蓝移和Hw，但是有可能对亮度造成影响。
漏电（Ir）变大、ESD变差
Ir较大表明外延中漏电通道较多，结晶质量较差，此时ESD差是由于较差的结晶质量经受不住大电流轰击，导致结构性破坏造成的。根据电压有没有变化或XRD半宽有无异常，可以判断是nGaN的Si掺杂过多、还是Buffer或uGaN生长条件不适合导致。
Ir变小、ESD变差
Ir较小表明外延原本结晶质量较好，但是大电流轰击时由于电能释放的密度太大，造成期间结构被破坏。可能的原因有：nGaN，尤其是n2层，过薄或nGaN生长速率太低；pAlGaN过厚或Al掺杂过量；量子阱Si掺杂太少等。
Ir变大、ESD超过100%
大电流轰击后漏电反而变好，说明Ir的来源不是结构性的漏电通道，有可能是一些不稳定的中间能级缺陷或者电容放电造成的。调整u、n层温度，增加AlGaN掺杂等将有一定的改善。
寿测表明了芯片长时间工作状态下的稳定性。寿测基本上由u、nGaN的结晶质量决定，也与工作室芯片的电流热能分布有很大关系。
mW数据反映了芯片全方位的实际出光强度，除了与量子阱的结构、个数，外延整体的结晶质量等有关，与衬底、芯片制成等因素也有着紧密的关联。
外延异常的分析是外延工程师最重要的能力之一，同时也需要长期的实践和积累。任何一种异常都没有绝对的原因，更没有万精油式的解决方法。因此，对外延数据进行分析切忌教条思想，一定要结合生产实际不断总结提高。
