HI3507RBC-宇航军工
对于芯片，先说一些自己感兴趣的，可能涉及海思的不多。经常能听到有人争论40nm工艺、28nm工艺，14nm工艺，那么这个多少nm指得是什么呢?
它指的是mos管在硅片上的大小，mos管就是晶体管，它是组成芯片的最小单位，一个与非门需要4个mos管组成，一般一个ARM四核芯片上有5亿个左右的mos管。世界上第一台计算机用个是真空管，效果和mos管一样，但是真空管的大小有两个拇指大，而现在最先进工艺蚀刻的mos管只有7nm大。
很多人对于华为海思芯片非常感兴趣，相关的讨论争论自然也不会少，在论坛上有时候也会看到。有人把它吹上天，也有人说它毫无技术含量。我看完之后痛心疾首，觉得很多人说的很多方面都是不对的。所以献上此文，客观介绍一下芯片的设计制造流程。
深圳宇航军工半导体有限公司优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星） 、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（联杰国际）、PLX（PLX技术公司）、CYPRESS（赛普拉斯）、MARVELL（美满）、AOS（万代）、FAIRCHILE、ON（安美森）、ST（意法）、NXP（恩智浦）、IR（国际整流器）、FREESCALE（飞思卡尔）、NS（国半）、AVAGO（安华高）、TOSHIBA（东芝）、DIODES（美台） 、RENESAS（瑞萨）、ROHM（罗姆）、LINEAR（凌特）、 ATMEL（爱特梅尔）、IDT（艾迪悌）、INFINEON（英飞凌）、VISHAY（威士）、HISILICON（海思）、LATTICE（莱迪斯）、NEC（日电）等优势品牌。