发光二极管的电压与电流的关系，在正向电压 小于某一值（叫阀值）时，电流极小，不能发光。当电压超过某一个值后，正向电流随电压迅速增加，发光。V-I曲线可以得出发光二极管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。LED的V-I特性是表征LED芯片PN结制备性能主要参数，LED通常都具有图2.3所示的较好的伏安特性。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻[12]。
LED的V-I 特性曲线
a.正向截止区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚未克服因载流子扩散而形成势垒电场，此时电阻很大。
b.正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系，V＞0时，V＞VF的正向工作区IF随VF指数上升。
c.反向截止区：V＜0时PN结加反偏压，V=-VR时，GaN反向漏电流IR（V=-5V）为10uA。
d.反向击穿区V＜-VR，VR称为反向电压；VR电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜-VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同
LED的V-I 特性曲线
a.正向截止区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚未克服因载流子扩散而形成势垒电场，此时电阻很大。
b.正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系，V＞0时，V＞VF的正向工作区IF随VF指数上升。
c.反向截止区：V＜0时PN结加反偏压，V=-VR时，GaN反向漏电流IR（V=-5V）为10uA。
d.反向击穿区V＜-VR，VR称为反向电压；VR电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜-VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同
