碳化硅的前世今生
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碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命 1～2 倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含 SiC 约 85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为 9.5 级，仅次于世界上最硬的金刚石（10 级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
碳化硅历程表
1905 年第一次在陨石中发现碳化硅
1907 年第一只碳化硅晶体发光二极管诞生
1955 年理论和技术上重大突破，LELY 提出生长高品质碳化概念，从此将 SiC 作为重要的电子材料
1958 年在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流
1978 年六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到 1978 年首次采用“LELY 改进技术”的晶粒提纯生长方法
1987 年～至今以 CREE 的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。
2001 年德国 Infineon 公司推出 SiC 二极管产品，美国 Cree 和意法半导体等厂商也紧随其后推出了 SiC 二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了 SiC 二极管。
2013 年 9 月 29 日，碳化硅半导体国际学会“ICSCRM2013”召开，24 个国家的半导体企业、科研院校等 136 家单位与会，人数达到 794 人次，为历年来之最。国际知名的半导体器件厂商，如科锐、三菱、罗姆、英飞凌、飞兆等在会议上均展示出了最新量产化的碳化硅器件。
到现在已经有很多厂商生产碳化硅器件比如 Cree 公司、Microsemi 公司、Infineon 公司、Rohm 公司。
绿碳化硅，碳化硅沉池，碳化硅厂家①③⑤②⑥①③④②⑥④
以碳化硅为代表的新材料， 成为半导体芯片制造最关键的材料之一
碳化硅(SiC)是近五年以来备受关注的第三代半导体，SiC 功率器件的研发从 1970 年代就开始了，到了 1980 年代，SiC 晶体质量和制造工艺获得了大幅改进，90 年代末，除了美国之外，欧洲和日本也开始投入资源进
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碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命 1～2 倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含 SiC 约 85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为 9.5 级，仅次于世界上最硬的金刚石（10 级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
碳化硅历程表
1905 年第一次在陨石中发现碳化硅
1907 年第一只碳化硅晶体发光二极管诞生
1955 年理论和技术上重大突破，LELY 提出生长高品质碳化概念，从此将 SiC 作为重要的电子材料
1958 年在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流
1978 年六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到 1978 年首次采用“LELY 改进技术”的晶粒提纯生长方法
1987 年～至今以 CREE 的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。
2001 年德国 Infineon 公司推出 SiC 二极管产品，美国 Cree 和意法半导体等厂商也紧随其后推出了 SiC 二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了 SiC 二极管。
2013 年 9 月 29 日，碳化硅半导体国际学会“ICSCRM2013”召开，24 个国家的半导体企业、科研院校等 136 家单位与会，人数达到 794 人次，为历年来之最。国际知名的半导体器件厂商，如科锐、三菱、罗姆、英飞凌、飞兆等在会议上均展示出了最新量产化的碳化硅器件。
到现在已经有很多厂商生产碳化硅器件比如 Cree 公司、Microsemi 公司、Infineon 公司、Rohm 公司。
绿碳化硅，碳化硅沉池，碳化硅厂家①③⑤②⑥①③④②⑥④
以碳化硅为代表的新材料， 成为半导体芯片制造最关键的材料之一
碳化硅(SiC)是近五年以来备受关注的第三代半导体，SiC 功率器件的研发从 1970 年代就开始了，到了 1980 年代，SiC 晶体质量和制造工艺获得了大幅改进，90 年代末，除了美国之外，欧洲和日本也开始投入资源进
