Rambus 揭下一代内存速度，DDR5 与 HBM3 带宽再翻倍
Rambus在一场投资者会议上谈到未来内存趋势，DDR5 和 HBM3 传输速度相较现行产品均翻倍，HBM3 将使用 7 纳米制程制造，具备 4000Mbps 的传输速度，而 DDR5 同样使用 7 纳米，预期将有 4800Mbps～6400Mbps 的传输速度。这些都是每bit传输速度，若乘上1024bit和64bit的总线位宽度，则最高相当于 500GB/s 和 50GB/s。Rambus 所提的 7 纳米制程，预计还要经过好几年才有办法进入量产阶段。
