Rambus 揭下一代内存速度,DDR5 与 HBM3 带宽再翻倍
Rambus在一场投资者会议上谈到未来内存趋势,DDR5 和 HBM3 传输速度相较现行产品均翻倍,HBM3 将使用 7 纳米制程制造,具备 4000Mbps 的传输速度,而 DDR5 同样使用 7 纳米,预期将有 4800Mbps~6400Mbps 的传输速度。这些都是每bit传输速度,若乘上1024bit和64bit的总线位宽度,则最高相当于 500GB/s 和 50GB/s。Rambus 所提的 7 纳米制程,预计还要经过好几年才有办法进入量产阶段。
