感应加热电源的技术发展制造水平与电力半导体功率器件的技术发展密切相关，同时也与先进的电路拓扑结构及控制技术不可分割。目前感应加热电源的发展趋势主要是朝着大功率容量，高频率和智能化控制技术发展。
1.扩展功率容量。根据加热物质对象及吨位不同，电源的功率容量可以从数百伏安到几十兆伏安不等，扩展感应加热电源的功率容量是感应加热技术及应用前景的关键，主要可以通过如下途径提升加热的功率容量。
1 提高单位半导体功率器件的容量，根据被加热工件工况的具体要求，正确选择目前国内外功率容量大的单体模块。在频率2khz以下的中频感应加热电源，可选门级关断晶闸管（GTO）集成门换流晶闸管（IGCT）等优良半导体器件，日本三菱，日立，瑞士ABB等公司IGCT单体模块可成为商品的已有4000A-6000A产品，功率容量在20MV.A以上。GTO的产品有10000A-9000V产品，可能突破10000A-12000V，功率容量约100MV.A。在高频感应加热电源可选用IGBT缘栅双极型晶体管和IEGT电子注入增强栅晶体管，IEGT是一种新型IGBT模块，它兼有IGBT和GTO的优点，低的饱和降压，低的栅极驱动功率，宽的工作安全和高的工作频率。工作频率150KHZ，电压6500V，电流3600A的IGBT模块在德国英飞凌公司以研发成功，一种高性价比，高效，高可靠性的第6代IGBT在日本三菱研制成功，对于相同功率容量的IGBT，开通损耗比第5代降低20%，结温降低25°，续流二极管比第5代降低21°，集电流密度JC与饱和降压V cesat及关断损耗E off乘积之比，可降低散热系统的体积，质量和成本，这种优良性能的IGBT模块对感应加热电源及其他电力电子装备的发展具有很大的潜力和意义，IECT单模快目前的水平是1000A-4500V。IGCT与GTO，IGCT与IGBT，IECT与IGBT之间的竞争将给感应加热电源及其他电力开关变换器的发展带来新机。