不过我还是贼心不死,因为总是有人觉得闪存颗粒什么的用TLC很垃圾,因为TLC从前印象很不好,所以大家都觉得TLC是降低成本,厂商欺骗用户这种不理性的言论。但是我就想测试一下嘛,根据海力士官方的介绍,他们的闪存技术是3D-V2,并没有看到明确标明TLC或者是MLC。正当我觉得放弃的时候我找到了一篇文章,源自于ANANDTECH,写于2017年4月14日,标题为SK Hynix Launches 72-Layer 256Gb 3D TLC NAND with Increased Performance,在文章里我找到了这句话“The company has been experimenting with 3D NAND for quite a while and launched its first commercial 36-layer 128Gb 3D MLC NAND (which it calls 3D-V2) chips in 2015”

直译过来的意思就是海力士致力研发3D NAND好一阵子并且在2015年推出首款36层128Gb 3D MLC闪存,同时命名3D-V2。通过原作者这句话我们应该可以推断,HTC U11使用的不仅是UFS 2.1,同样闪存颗粒使用的是寿命更长(高达10万次擦写)的MLC。我这一折腾可能没什么必要不过对于HTC这次硬件不缩水,我表示很满意,deserve a thrumbs up
