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有关相控阵雷达T/R元件材料SiC的问题

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百度了一下，半导体材料的辐射元件目前主要被划分为三代，第一代是Si，Ge，第二代GaAa等，第三代是SiC和GaN等，这两种新材料都比第二代提升显著，且性质上相差无几，但是为何提到雷达T/R原件的时候，SiC的元件总是被冠以“落后”的帽子，在谈论我国相控阵雷达的时候，经常看见“比GaAs还落后的SiC”，“比xx的GaN差远了”等等呢？求科普……
来自Android客户端1楼2017-08-10 02:12回复
    真的没人吗
    来自Android客户端3楼2017-08-10 03:50
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      我去，为何第二张图发一次吞一次
      来自Android客户端4楼2017-08-10 07:20
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        没人懂怎么来人
        来自Android客户端5楼2017-08-10 07:24
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          好气啊，知乎上提问也没人回答
          来自Android客户端7楼2017-08-10 08:51
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            绝望小号帮顶
            来自Android客户端8楼2017-08-10 09:11
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              这个问题，一般人不知道，知道的不能随便说。
              来自Android客户端13楼2017-08-10 11:39
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                应该不是说的SiC，而是说的第一代晶体管。传说346的最原始版本是晶体管，连GaAs都没用。
                我也不懂这些东西，这都是超大上看的。不过据我认识的这方面的师兄说，在与美国的比较上，元器件的差距不是太大，更大的是后端处理，这往往才是雷达系统的重点保密领域。
                14楼2017-08-10 11:48
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                  图来自超大。
                  15楼2017-08-10 12:03
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                    16楼2017-08-10 12:16
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                      到现在还有人怀疑中国的雷达吗？？？？？
                      18楼2017-08-13 12:46
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                        一个高温性能好，另一个反之，需要做隔温保护的导弹战斗部在大型导弹可以，小型导弹就必须阉割性能
                        来自Android客户端19楼2017-08-13 23:25
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                          你到无锡的607所，614所，搞雷达的，找本内参。
                          来自Android客户端20楼2017-08-13 23:27
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                            来自iPhone客户端21楼2017-08-13 23:35
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