20.热传导
21.摩擦起热会增加红外强度吗

22.绝对零度

23.半导体热扩散与离子注入
24.半导体‘开窗子’
25.半导体光刻与感光剂
26.晶体管放大原理

27.肖克莱方程
28.电流连续性原理

三极管的工作原理 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。

三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。主要参数

NPN管的基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流IB，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
这时应该注意的是：发射极是正向偏置的，集电极是反向偏置的。
当基极电流增大时（电压也略有提高）引发发射极更多地向基区扩散电子，仍然是因为基区很薄空穴太少，而集电极反向偏置，多余的电子更多地给集电极吸引。
用比方来说：基区犹如一张薄薄的钢丝网接正在发射极上方，发射极有一堆电子（发射极接负）在基区的下方，集电极接正在基区的上方，三者面积一样投影重叠。基区吸引发射极的电子向上运动，少量电子碰到基区的钢丝网，大量电子穿过了网孔，被集电极吸走。当基区加大吸力，发射极有更多的电子被吸上来但钢丝网没变，按照比例，钢丝网多吸了一点，按照比例网孔中漏过去的更多。

你说的发射极流出是是电子流，电流的方向和电子流方向是相反的。电流的方向是正电荷运动的方向。关于放大过程最原始的国外理论是电子阀原理，即水龙头原理，基极电流相当于水龙头的手柄，旋转手柄可控制水流大小，水流的压力来自于水管内的压力。不是直接的放大，是小电流控制大电流，大电流的能量来自电源。更多的三极管的放大 原理 直接百度吧，文字讲解，视频教学，好多的。