那厂家给出的某种颗粒多少次pe又是什么鬼？

什么是P/E？
program/erasure，编程／擦除，即俗称的“擦写”。固态硬盘编程时（P），控制栅用高电位将硅基底的电子拽过氧化层困在浮置栅，这个存储单元的就有了电势，也就存入了数据。擦除（E）时，控制栅用低电位将电子从浮置栅推出，回到硅基底，存储单元电势消失，数据擦除。

从接触SSD，我们就被告知颗粒的排序是slc,mlc ,tlc。他们有什么区别？
SLC=Single Level Cell,单层存储单元，MLC=Multi level cell,多层存储，TLC=Trinary level cell,三层存储。slc每个单元的只存储一个二进制位，状态只有0或1，电气状态“无电势”或“有电势”。mlc每单元2bit数据，编程状态2²=4，00，01，10，11，电气状态“无电势”“电势1”“电势2”“电势3”。TLC每单元3bit，编程状态2³=8，000、001、010、011、100、101、110、111，电气状态“无电势”“电势1”……“电势7”

例如一段8bit数据101110100，slc需要动用8个单位，mlc需要4个单位，TLC需要3个单位。在同工艺同制程同晶圆的条件下，每个存储单元的面基是相等的，也就是说同样一张晶圆能切出更多容量，节约成本。也说明，所谓的slc，mlc，tlc，本质是一样的，只不过是软件编程不同。

插

继续啊

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什么是P/E寿命？
很多人把PE寿命当做颗粒报废的寿命，这是完全错误的。P/E寿命的定义简单来说是“在满足纠错能力的条件下，在标准环境中所能进行的最少擦写次数”。其中的关键是“满足纠错能力”，即读写没有错误，这个一会儿再说，其次，这个标准是保守估计，大部分产品或多或少会比一个高一些，先看这个“标准环境”。每个厂商的测试环境不太一样，但负责任的厂商测试环境肯定和日常使用相仿或者稍微严苛一些，家用产品的标准差不多就是，40℃工作温度，每周通电5天，每天8小时。断电后在30℃环境中，数据保存周期为1年（52周）。也就是说，在厂商保证的PE寿命内，你的数据可以断电保持1年。
为什么数据会出错？前面提到了固态硬盘的工作原理，电子反复穿过氧化层会对其造成磨损，降低对电子的约束力，随着时间推移，本来应该呆在浮置栅的电子会被电场力推过氧化层回到硅基底，造成本单元编程状态扰动。另一方面，对某个存储单元进行操作势必会对周边单元造成影响，捎带着改变扰乱它们。所以，不管是在工作还是存储过程中，固态硬盘都会产生错误，这就需要主控来纠错。

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围观

纠错能力。主控纠错靠的是数学算法，很深奥，不说。无论多么先进，主控的纠错能力是有限的，比如一款主控的纠错能力是40bit/4k，即每4K数据如果软硬错误≤40个，主控可以用自己的方法算出正确的并输出。超过这个限度，主控会屏蔽这个单元，这个单元的PE寿命到此为止，屏蔽的单元越来越多，开始丢数据，固态也就报废了。随着固态的错误率上升，读写纠错对主控性能的占用也会造成掉速。由此可见，一款固态的PE寿命是最起码由主控的纠错能力和颗粒的性能衰减两方面决定的。一款相同的颗粒，写入放大出不多的固件和主控，纠错能力高的主控PE寿命会比纠错能力低的主控高。所以PE寿命是对固态这个大系统说的，单独拿出颗粒说PE是不成立的。

固态随时都需要纠错，纠错能力有限，但这个限度在不断增加。早期固态硬盘清一色slc并不是slc有多奢华，而是主控纠错能力太低下，只能使用编程状态和电气控制都最简单的slc。所谓的TLC寿命短，是因为他的编程和电气控制太复杂，容错量太小。随着主控纠错能力和制造工艺不断提高，TLC也在变得越来越可靠。三星850虽然是TLC到三桑给了5年保，看看镁光的MLC才3年，厂商信心高下立判。三桑的盘从来只见喷的，没见有说挂的，反倒前几天见了一个m6s出问题的貼。明年英特尔都要开始涉足TLC，不求大家现在改变对TLC的看法，但愿Intel出TLC盘的时候大家不要太失望就好。

用手机码了这么多字，楼主已经精神错乱了，换电脑，捋捋思路，想到啥说啥