串行存储器和并行存储器
在定义了应用系统之后，微控制器的选择是决定选择串行或并行存储器的一个因素。对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器，这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。
较小的应用系统通常使用带有内部存储器但没有外部地址总线的微控制器。如果需要额外的数据存储器，外部串行存储器件是最佳选择。大多数情况下，这个额外的外部数据存储器是非易失性的。

EEPROM与闪存
存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器(如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写，并像ROM一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。
从软件角度看，独立的EEPROM和闪存器件是类似的，两者主要差别是EEPROM器件可以逐字节地修改，而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的重新编程还需要使用SRAM，因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作，从而需要消耗更多的电池能量。设计工程师也必须确认在修改数据时有足够容量的SRAM可用。
存储器密度是决定选择串行EEPROM或者闪存的另一个因素。市场上可用的独立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，独立闪存器件的容量在32KB或以上。
如果把多个器件级联在一起，可以用串行EEPROM实现高于128KB的容量。很高的擦除/写入耐久性要求促使设计工程师选择EEPROM，因为典型的串行EEPROM可擦除/写入100万次。闪存一般可擦除/写入1万次，只有少数几种器件能达到10万次。
今天，大多数闪存器件的电压范围为2.7V到3.6V。如果不要求字节寻址能力或很高的擦除/写入耐久性，在这个电压范围内的应用系统采用闪存，可以使成本相对较低。

存储器（Memory）是电子系统中的存储设备，用来存放程序和数据。
电子系统中的全部信息，包括原始数据、程序代码、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。
它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器分两类：RAM和ROM。
RAM的存取速度非常快，但是掉电后数据不能保存，常用来保存一些中间运行结果；
ROM在掉电情况下能保证数据不丢失，但是速度稍慢，常用来保存程序代码和原始配置信息；
而最新的MRAM技术将RAM和ROM的优点结合起来，既能实现高速的数据存储，又能实现掉电后数据不丢失。
常用的存储器有串行EEPROM、并行EEPROM、DRAM、SRAM、串行NOR Flash、并行NOR Flash、并行MRAM、串行MRAM等。

EEPROM是可在线电擦除和电写入的存储器，具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等特点，低电压写入的特点使其在单片机系统应用中十分普遍。
NOR Flash可用来存放数据或者代码，存放的数据和代码可以实现掉电保存，NOR Flash分串行NOR Flash和并行NOR Flash两种。
Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。
串行 EEPROM — 适用于各种应用的灵活存储器设备，可存储个人偏好数据、系统校准和配置数据以及高写入次数的数据记录
并行 EEPROM — 可更改字节的并行访问存储器设备，可持久地保存数据，并具有可确保系统品质优异、可制造性强的高级功能
单次可编程 EPROM — 一次性可编程 (OTP) 的存储器设备，并行访问时间短，可提供安全且不可更改的直接代码执行存储器
串行闪存 — 具有高级安全与保护功能的页擦除和块擦除器件，适合程序代码映射、串行 EEPROM 更换以及数据记录和存储等应用。

串行EEPROM
串行EEPROM系列具有不同的串行接口选项：I²C、SPI和Microwire。
串行EEPROM密度范围从 1KB - 1MB。
串行EEPROM电压范围为 1.7V - 5.5V。
串行EEPROM采用多种行业标准的PDIP、SOIC 和 TSSOP 封装类型。
串行EEPROM采用节省空间的 DFN、VFBGA、SOT23 和 WLCSP 封装。
串行EEPROM具有改变单字节数据的能力，因此串行 EEPROM 器件可用于在多种消费、汽车、电信、医疗、工业和计算机应用中存储个人喜好和配置数据。

汽车串行 EEPROM
汽车串行 EEPROM可支持 I2C、SPI 和 Microwire 协议的全套汽车温度等级串行 EEPROM。
这些产品是实现适用于稳定和嘈杂环境的高速设计的理想之选。
汽车串行 EEPROM，与I2C、Microwire和SPI兼容。
汽车温度等级、ISO/TS16949认证。
汽车子系统包括：安全气囊、防抱死制动系统、音频仪表盘、驾驶员信息系统、发动机控制、多媒体、汽车通信/导航、轮胎气压。
汽车串行 EEPROM可写字节和页面，灵活的数据存储。低功率和低电压，内存阵列写保护。
密度1Kb到256Kb，在SPI产品中高达20MHz的操作频率。VCC范围从2.5V扩展至5.5V。
-40°C到125°C的工作温度范围，8引脚SOIC和TSSOP封装选项。
在与Microwire兼容的器件上，有x8和x16两种带软件写保护的存储器组织可供用户选择。

并行 EEPROM
并行 EEPROM 可以按字节或整个扇区更新存储数据，提供了设计灵活性。
并行接口器件提供高编程耐久性和数据保留时间，并且比串行接口协议读取速度更快。
密度 (64KB - 4MB)、工作电压和器件封装可供选择。
工作电压 (2.7V)、低压 (3V) 和 5V。
器件封装 PDIP、PLCC、SOIC 和 TSOP。
器件广泛应用于各种领域，例如，电信、航空电子设备和军事应用。
并行接口 EEPROM 具有可确保系统质量优异、可制造性强的高级特性。
器件集成了进一步提高耐久性的内部错误校正及改进的数据保留特性，
还具有可选软件数据保护机制以防止意外写入。
每个器件还提供了额外的 64 或 128 字节 EEPROM 存储器，用于设备识别或跟踪。

NAND Flash存储器
NAND Flash存储器是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同 。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就 相应地降低了价格。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。

NFC/RFID 存储器
RF存储器和收发器产品基于13.56 MHz载频，符合ISO 14443和ISO 15693 RFID标准的要求。
NFC/RFID 存储器包括：
动态NFC/RFID标签（亦即双接口EEPROM）
NFC/RFID收发器
RFID标签

串行存储器封装

串行存储器封装

串行存储器封装